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DTA114TETL 发布时间 时间:2025/5/7 13:28:08 查看 阅读:18

DTA114TETL是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效率功率转换的场景。其特点包括低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力。通过优化的芯片设计,该MOSFET能够在高频应用中保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:2.5mΩ
  总功耗:175W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

DTA114TETL采用了先进的沟槽式工艺技术,从而实现了更低的导通电阻和更高的电流密度。此外,该器件具有出色的热性能,能够有效降低工作温度,提高系统的可靠性。
  其快速开关特性使其非常适合高频应用场合,并且内置了多种保护机制,例如过温保护和短路保护,确保在异常条件下不会损坏。
  此外,DTA114TETL还具有较低的栅极电荷和输出电容,这有助于减少开关损耗并提升整体效率。

应用

该MOSFET广泛用于各种工业和消费类电子设备中,典型的应用领域包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电机控制与驱动
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 逆变器及不间断电源(UPS)
  5. 各类负载开关和保护电路
  由于其出色的性能参数和稳定性,DTA114TETL成为许多高效能功率转换系统中的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP5800

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DTA114TETL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA114TETL-NDDTA114TETLTR