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DTA114EMT2L 发布时间 时间:2025/5/9 13:30:41 查看 阅读:4

DTA114EMT2L 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管(eGaN FET)技术,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适合用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电设备以及其他需要高性能功率转换的应用场景。
  这款晶体管采用小型化的表面贴装封装,优化了 PCB 布局和热性能,能够显著提升系统的效率和功率密度。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻:0.3Ω
  栅极电荷:7nC
  反向恢复时间:无(因 GaN 技术特性)
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃

特性

DTA114EMT2L 具备以下显著特性:
  1. 高效性:由于其超低导通电阻和极小的开关损耗,能够在高频条件下提供高效率。
  2. 快速开关:支持 MHz 级别的开关频率,减少磁性元件体积并提高功率密度。
  3. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在各种恶劣环境下的稳定性。
  4. 小型封装:采用紧凑的表面贴装封装,节省电路板空间。
  5. 热性能优越:优化的散热路径能够有效降低结温,延长使用寿命。
  6. 易于驱动:低栅极电荷特性简化了驱动电路设计。

应用

DTA114EMT2L 广泛应用于以下领域:
  1. 高频 DC-DC 转换器:
   - 服务器电源
   - 工业电源
  2. 开关模式电源(SMPS):
   - 笔记本适配器
   - USB-PD 充电器
  3. 无线充电模块:
   - 消费电子设备
   - 家用电器
  4. 功率因数校正(PFC)电路:
   - LED 驱动器
   - 太阳能逆变器
  其高频、高效的特点使其成为现代电力电子系统中的理想选择。

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DTA114EMT2H, DTA116EMT2L

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DTA114EMT2L参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装VMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA114EMT2L-NDDTA114EMT2LTR