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SI3443CDV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/7/18 11:51:04 查看 阅读:2

SI3443CDV 是一款由 Silicon Labs 提供的低功耗、高集成度的单芯片解决方案,主要用于 ISM 频段的无线应用。该芯片支持 2FSK 和 MSK 调制模式,并具有高灵敏度和出色的抗干扰能力。它内置了完整的射频收发器和基带处理单元,适用于各种低功耗无线通信场景。

参数

工作电压:1.8V 至 3.6V
  输出功率:+10dBm(典型值)
  接收灵敏度:-117dBm(2FSK,1.2kbps)
  调制方式:2FSK,MSK
  频率范围:315MHz 至 928MHz
  待机电流:0.2μA
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TQFN-20 (4x4mm)

特性

SI3443CDV 具有低功耗设计,非常适合电池供电的应用。其高灵敏度的接收器能够确保在弱信号环境下的可靠分集功能可以进一步提高系统的稳定性和覆盖范围。
  芯片还集成了多种电源管理选项,允许用户根据具体需求优化功耗。
  此外,该芯片支持通过 SPI 接口进行配置和数据传输,简化了与主控 MCU 的连接和操作。

应用

SI3443CDV 广泛应用于无线传感器网络、家庭自动化、安全系统、远程控制以及其他低功耗无线通信领域。由于其支持多频段工作,因此也适合全球范围内的不同 ISM 频段应用。
  其超低功耗特性和高灵敏度使得它成为电池供电设备的理想选择,例如烟雾报警器、门磁开关、环境监测传感器等。

替代型号

SI4432, CC1101

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SI3443CDV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.97A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds610pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3443CDV-T1-GE3-NDSI3443CDV-T1-GE3TR