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DTA113ZUAT106 发布时间 时间:2025/12/25 10:59:32 查看 阅读:14

DTA113ZUAT106是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),采用小型表面贴装封装(SOT-23或SC-59)。该器件属于数字晶体管系列,内部集成了一个基极-发射极之间的偏置电阻网络,通常包括一个基极串联电阻和一个与发射极连接的下拉电阻。这种设计使得DTA113ZUAT106在逻辑电平转换、开关控制和驱动应用中表现出色,因为它无需外接多个分立电阻即可直接由微控制器或其他数字信号源驱动。该器件广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及通信设备中的小功率开关场景。由于其高度集成化的设计,不仅节省了PCB空间,还提高了电路的可靠性并降低了整体成本。此外,该晶体管具有良好的热稳定性和快速的开关响应能力,适合高频开关操作。DTA113ZUAT106的工作温度范围较宽,适用于工业级环境下的稳定运行。

参数

型号:DTA113ZUAT106
  制造商:ROHM
  晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  总功耗(Pc):200mW
  直流电流增益(hFE):82~120(测试条件IC=5mA, VCE=5V)
  内置电阻:R1(基极电阻)=47kΩ,R2(发射极下拉电阻)=47kΩ
  封装形式:SOT-23(SC-59)
  工作结温范围:-55℃~+150℃
  存储温度范围:-55℃~+150℃

特性

DTA113ZUAT106作为一款集成偏置电阻的数字晶体管,具备多项优异特性,使其在现代电子设计中备受青睐。首先,其内部集成的两个47kΩ电阻(R1和R2)极大地简化了外围电路设计。R1为基极限流电阻,限制输入电流,保护晶体管免受过流损坏;R2作为发射极接地的下拉电阻,确保在输入信号悬空时基极为低电平,防止误触发,从而显著提升系统的抗干扰能力和稳定性。这一特性尤其适用于微控制器I/O端口直接驱动的场合,如LED指示灯控制、继电器驱动或逻辑电平转换电路。
  其次,该器件具有良好的电气性能。其最大集电极-发射极电压为50V,可支持多种低压电源系统应用。集电极持续电流可达100mA,足以驱动多数小型负载,例如低功率LED、蜂鸣器或光耦输入侧。同时,较高的直流电流增益(hFE在82~120之间)意味着即使在较小的基极驱动电流下也能实现有效的集电极电流放大,提升了能效表现。此外,由于采用了先进的芯片制造工艺,该晶体管具有较低的饱和压降(VCE(sat)),通常在IC=5mA、IB=50μA条件下仅为0.1V左右,这有助于减少导通损耗,提高整体效率。
  再者,DTA113ZUAT106的小型SOT-23封装使其非常适合高密度印刷电路板布局,特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求极为严格的终端产品。该封装还具备良好的散热性能,在适当的PCB布线条件下能够有效传导热量,避免因局部过热导致性能下降或失效。最后,该器件符合RoHS环保标准,并通过了无铅认证,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。综合来看,DTA113ZUAT106以其高集成度、稳定可靠、易于使用和紧凑尺寸,成为众多开关应用的理想选择。

应用

DTA113ZUAT106主要应用于需要简单、高效开关功能的低功率电子电路中。常见用途包括微控制器与外部负载之间的接口驱动,例如用于控制LED指示灯的亮灭。在这种应用中,MCU的GPIO引脚可以直接连接到该晶体管的基极,通过内部控制高低电平来开启或关闭LED,而无需额外添加限流和下拉电阻,大幅简化了硬件设计。
  另一个典型应用场景是逻辑电平转换。当系统中存在不同电压域(如3.3V MCU控制5V外围设备)时,DTA113ZUAT106可以作为电平移位器使用,将低电压逻辑信号转换为高电压输出信号,从而实现跨电压域通信。此外,它也常用于小型继电器或固态继电器的驱动电路中,作为中间开关元件,隔离控制电路与被控负载,增强系统的安全性和抗干扰能力。
  在便携式消费类电子产品中,如蓝牙耳机、智能手表、无线充电器等,该晶体管可用于电源管理模块中的负载开关,控制特定功能模块的供电通断,以达到节能目的。同时,它也可用于传感器信号调理电路中,作为简单的开关缓冲级,提升信号驱动能力。
  此外,DTA113ZUAT106还可用于音频信号切换、DC-DC转换器的反馈控制回路、电机启停控制(小型直流电机)以及各类工业自动化控制系统中的数字输入/输出模块。得益于其稳定的性能和宽工作温度范围,该器件同样适用于工业环境下的嵌入式控制单元。总之,凡是在需要将数字信号转化为物理动作或电平变化的场合,DTA113ZUAT106都能发挥重要作用。

替代型号

MMBT3904L-R7-F
  FMMT213-7-F
  KSP2222A-DT1
  DTC114EU3T106
  DA94-7-F

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DTA113ZUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)33 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA113ZUAT106-NDDTA113ZUAT106TR