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DTA044EMT2L 发布时间 时间:2025/11/8 1:55:59 查看 阅读:8

DTA044EMT2L是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),属于数字晶体管(Digital Transistor)系列。该器件集成了一个内部基极-发射极电阻,通常用于开关和驱动应用中,特别适用于需要简化电路设计、减少外部元件数量的场合。数字晶体管因其内置偏置电阻,能够直接通过逻辑电平信号进行驱动,无需额外的基极限流电阻,从而提高了电路的集成度和可靠性。DTA044EMT2L采用SOT-23(小型晶体管外形封装)表面贴装封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制领域。
  该器件的结构为NPN型晶体管,具有良好的电流增益和开关特性。其内部集成的电阻网络通常包括一个连接在基极与发射极之间的下拉电阻,以及一个串联在基极输入端的限流电阻,这种设计有效防止了因噪声引起的误触发,并确保在无输入信号时晶体管可靠截止。DTA044EMT2L的工作温度范围较宽,支持工业级应用环境,具备良好的热稳定性和长期工作可靠性,是现代电子系统中常用的通用型开关元件之一。

参数

型号:DTA044EMT2L
  类型:NPN数字晶体管
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  集电极电流(Ic):100mA
  功率耗散(Pd):200mW
  直流电流增益(hFE):70~200
  过渡频率(ft):250MHz
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23(Tape)
  基极-发射极电阻(R1):47kΩ
  基极-接地电阻(R2):47kΩ

特性

DTA044EMT2L作为一款高性能的NPN型数字晶体管,其最大特点在于内部集成了两个精密电阻——一个基极限流电阻R1和一个基极-发射极下拉电阻R2,这两个电阻的典型值均为47kΩ。这一集成化设计显著降低了外围电路的复杂性,使得用户可以直接将微控制器或其他逻辑输出信号连接至器件的输入端,而无需额外配置偏置网络。这不仅节省了PCB空间,还减少了组装成本和潜在的焊接故障点,提升了整体系统的可靠性。
  该器件具备优异的开关响应能力,过渡频率高达250MHz,意味着它能够在较高的频率下实现快速的导通与关断操作,适用于高频脉冲信号处理和高速开关场景。同时,其直流电流增益hFE范围为70至200,保证了在不同负载条件下均有稳定的电流放大性能,有助于提升驱动能力的一致性。集电极最大允许电流为100mA,足以驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等常见负载设备。
  热性能方面,DTA044EMT2L采用SOT-23封装,具有较低的热阻特性,在200mW的额定功率下可满足大多数低功耗应用需求。器件支持-55°C到+150°C的宽工作结温范围,确保在极端环境温度下仍能保持正常工作,适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求较高的应用场景。
  此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,符合现代绿色电子产品的制造规范。由于其标准化的引脚排列和电气特性,DTA044EMT2L也具备良好的互换性和供应链稳定性,便于批量采购与替换。整体而言,这款数字晶体管以其高集成度、稳定性能和广泛适用性,成为众多嵌入式控制系统中的理想选择。

应用

DTA044EMT2L主要用于各类低电压、小电流的开关与信号放大电路中。典型应用包括微控制器输出端的接口驱动电路,例如用于驱动LED指示灯、七段数码管或LCD背光模块。由于其内置偏置电阻,可直接由3.3V或5V逻辑电平控制,避免了传统BJT所需的基极限流电阻设计,极大简化了电路开发流程。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、智能家居设备中,该器件常被用作电源管理中的负载开关或状态切换元件。此外,它也可用于传感器信号调理电路中,作为电平转换或缓冲放大器使用。
  工业控制领域中,DTA044EMT2L可用于PLC输入/输出模块的小信号开关、继电器驱动前级放大、光电耦合器的驱动级等场合。在通信设备中,它可以作为逻辑门之间的信号隔离与增强元件,提高信号完整性。
  由于其SOT-23小型封装,非常适合空间受限的应用场景,如可穿戴设备、便携式医疗仪器和无线传感器节点。同时,其宽温工作能力和高可靠性也使其适用于汽车电子系统中的车身控制模块、车灯控制单元或车载信息娱乐系统的辅助开关电路。

替代型号

KSC1845FMT1
  MMBT3904LT1G
  DTC144EKA

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DTA044EMT2L参数

  • 现有数量74现货
  • 价格1 : ¥1.91000剪切带(CT)8,000 : ¥0.30337卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)47 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 频率 - 跃迁250 MHz
  • 功率 - 最大值150 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商器件封装VMT3