存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：1 x 16 Mbit
　　工艺技术：StrataFlash (MLC NOR Flash)
　　电源电压 - 核心：2.7 V 至 3.6 V
　　电源电压 - I/O：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP, 48-ball BGA
　　访问时间：约 120 ns
　　编程/擦除耐久性：典型值为 100,000 次
　　数据保持时间：10 年以上
　　接口类型：并行异步接口
　　总线宽度：x16 数据总线
　　待机电流：≤ 100 μA
　　读取电流：≤ 20 mA
　　编程电流：≤ 30 mA

DT28F160S3100具备多项先进的电气与逻辑特性，确保其在复杂环境下的稳定运行。首先，它采用了Intel专有的StrataFlash Memory Technology（SFMT），这是一种基于NOR架构的多级单元（MLC）技术，允许每个存储单元存储多个比特的信息，从而在不显著增加芯片面积的前提下提升存储密度。这种设计有效降低了单位存储成本，同时保留了NOR Flash快速随机访问的优势，特别适合用于执行就地执行（XIP, eXecute In Place）的应用场景，例如嵌入式系统中的固件存储。
　　其次，该芯片支持灵活的分区结构，内部划分为多个可独立擦除的扇区和块，便于实现细粒度的数据管理和软件更新。用户可以通过命令寄存器序列对特定区域进行编程或擦除操作，而不会影响其他部分的数据完整性。此外，芯片集成了硬件写保护功能，并可通过软件指令启用高级安全机制，如锁定某些扇区以防止未经授权的修改，这对于保障关键系统代码的安全性至关重要。
　　再者，DT28F160S3100具有优异的环境适应能力，支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），满足工业级和汽车级应用的需求。其低功耗特性体现在多种电源管理模式上，包括自动待机模式和深度掉电模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。同时，器件具备较强的抗干扰能力和ESD（静电放电）防护能力，增强了在恶劣电磁环境中的可靠性。
　　最后，该芯片提供标准的并行异步接口，兼容常见的微处理器和微控制器总线时序，简化了系统集成过程。Intel还提供了完整的开发工具链和技术文档支持，帮助工程师快速完成驱动开发、故障诊断和性能优化工作。这些综合特性使得DT28F160S3100成为高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案。

DT28F160S3100广泛应用于对可靠性、性能和存储密度有较高要求的嵌入式系统领域。在通信基础设施中，该芯片常被用作基站控制器、路由器和交换机中的固件存储器，支持快速启动和现场升级（FOTA），确保网络设备长时间稳定运行。由于其具备XIP（就地执行）能力，系统可以直接从Flash中运行代码，无需将程序加载到RAM，节省了主控芯片的资源并加快了启动速度，这在实时性要求高的通信协议处理中尤为重要。
　　在工业控制系统中，DT28F160S3100用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程IO模块中，存储操作系统、配置参数和应用程序代码。其宽温特性和高抗干扰能力使其能够在高温、高湿或强电磁干扰的工厂环境中可靠工作。此外，芯片的扇区保护功能可用于锁定关键控制逻辑，防止因误操作导致系统崩溃，提升整体安全性。
　　在网络设备方面，如防火墙、网关和无线接入点，该器件承担Bootloader、操作系统镜像和安全证书的存储任务。其快速读取性能保证了设备的快速启动和高效响应，而多层级的擦写管理机制则延长了使用寿命，减少维护频率。
　　在便携式医疗设备和测试仪器中，DT28F160S3100用于保存校准数据、用户设置和诊断日志。其低功耗模式有助于延长电池寿命，同时数据保持时间长达十年以上，确保重要信息长期可靠存储。此外，在车载电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）和ADAS模块，该芯片也扮演着关键角色，支持车载软件的远程升级和故障记录存储。综上所述，DT28F160S3100凭借其高性能与高可靠性，已成为多个高端嵌入式应用领域的首选存储器件。

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　　JS28F160S3B_100
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