型号：DT28F160F3T-95
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：160 Mbit (20 MB)
　　组织结构：x16位数据宽度
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　封装类型：56-pin TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　电源电压 - Vcc：3.0V 至 3.6V
　　输入/输出电平兼容性：TTL/CMOS
　　访问时间：95 ns
　　编程电压：内部生成（单电源操作）
　　写使能信号：WE#
　　输出使能信号：OE#
　　片选信号：CE#
　　字节控制信号：UB# / LB#
　　擦除功能：扇区擦除、整片擦除
　　状态寄存器轮询：支持
　　硬件复位引脚：RESET#
　　可靠性：耐久性约10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：大于10年

DT28F160F3T-95采用了Intel专有的StrataFlash技术，这种技术结合了NOR Flash的快速随机访问能力和MLC的高存储密度优势，在保证高性能的同时显著提升了单位面积下的存储容量。其核心特性之一是支持多层级存储模式，使得每个存储单元可以表示多个状态，从而在相同物理尺寸下实现更高的有效容量。这一特性对于需要兼顾成本与容量的中高端嵌入式应用尤为重要。此外，该芯片具备高度集成的内部控制逻辑，包括自定时编程与自动雪崩式擦除序列，能够自动调节编程脉冲宽度和重复次数以适应不同温度和老化条件下的阈值电压变化，确保写入操作的成功率和长期稳定性。
　　另一个关键特性是优异的读取性能，95ns的访问时间使其非常适合用于直接从Flash执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景，无需将程序加载至RAM即可运行，节省系统资源并加快启动速度。芯片支持异步总线接口协议，兼容常见的微处理器和微控制器总线时序，简化了硬件设计与驱动开发。同时，其提供了灵活的扇区架构，允许用户按需选择擦除范围，最小可至4KB的小扇区，极大增强了数据管理的灵活性，并减少因频繁更新小量数据而导致的大范围擦除开销。
　　在可靠性和安全性方面，DT28F160F3T-95集成了多种保护机制。例如，硬件RESET#引脚可在系统异常时强制芯片进入安全读取模式；写保护功能可通过软件命令或硬件引脚配置启用，防止关键固件被意外修改。此外，器件支持ECC（错误校正码）辅助功能，虽然本身不包含完整的ECC引擎，但提供状态反馈信息以便外部控制器实施纠错策略。整体而言，该芯片在性能、容量、可靠性和易用性之间取得了良好平衡，适用于对稳定性要求较高的工业级应用场景。

DT28F160F3T-95主要应用于各类需要大容量、高速度非易失性存储的嵌入式系统中。典型用途包括网络路由器、交换机和基站设备中的固件存储，因其支持XIP模式，可让处理器直接从Flash中读取指令执行，从而加快系统启动时间和降低内存占用。在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及远程终端单元（RTU），用于保存操作系统映像、用户配置文件和历史日志数据。由于其良好的温度适应性和长期数据保持能力，也适用于户外或恶劣环境下的电子设备。
　　此外，DT28F160F3T-95还广泛用于电信基础设施设备，如DSLAM（数字用户线路接入复用器）和光传输模块，承担Bootloader、驱动程序和运行参数的存储任务。在医疗仪器中，该芯片可用于存储校准数据、设备设置和诊断记录，确保关键信息在断电后仍能可靠保留。汽车电子系统中，尽管该型号并非AEC-Q100认证产品，但在某些车载信息娱乐原型系统或测试平台中也有应用实例。
　　由于其并行接口特性，DT28F160F3T-95特别适合搭配具有本地总线接口的微控制器或DSP使用，如某些ARM9、PowerPC或ColdFire系列处理器。这类系统通常要求快速启动和稳定的固件存储方案，而该芯片恰好满足这些需求。随着串行Flash（如SPI NOR）的发展，此类并行Flash逐渐被替代，但在一些旧有系统维护、升级或特定高性能需求场合，DT28F160F3T-95仍然具有不可替代的价值。