DSS100A10 时间：2025/9/7 4:05:19 阅读：5

DSS100A10是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和电机控制等高功率场合。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻、优异的热性能和高可靠性。DSS100A10封装形式为TO-220，适合在需要高电流承载能力和高效能转换的系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：100A
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

DSS100A10具有多项优异的电气和热性能，适用于高电流和高效率的功率转换应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热器的尺寸需求。该器件的最大漏极电流可达100A，支持在高负载条件下稳定运行。
　　DSS100A10的漏极-源极击穿电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。栅极-源极电压范围为±20V，确保在不同驱动条件下MOSFET的稳定工作，同时具备良好的抗过压能力。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的热传导性能，便于安装在散热器上以提高散热效率。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，DSS100A10具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态电压冲击下的稳定性。
　　整体而言，DSS100A10凭借其低Rds(on)、高电流能力、优异的热管理和可靠性，成为电源转换、电机控制、电池管理系统以及工业自动化等领域的理想选择。