时间：2025/8/6 23:00:33
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DSP1N5S17 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。该器件采用先进的沟槽栅极和屏蔽栅极技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池充电系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：170A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247
DSP1N5S17 MOSFET采用了东芝先进的U-MOS VII技术，具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高速开关特性可支持高频操作，从而减小外部电感和电容的尺寸，提高整体系统功率密度。
此外，该MOSFET具备高耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持性能。其高雪崩能量耐受能力使其在电机控制或感性负载切换应用中具备良好的鲁棒性。
该器件的封装形式为TO-247，便于散热并确保在高电流条件下的稳定运行。其引脚排列设计也便于PCB布局和安装，提高了使用的便利性。
DSP1N5S17主要应用于高功率密度的电源系统中，例如工业用DC-DC转换器、服务器电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、逆变器以及电机驱动控制模块等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合需要高效率和高可靠性的设计场景。
此外，该MOSFET也广泛用于高频开关电源和同步整流电路中，以提高能效并减少热损耗。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，DSP1N5S17也是一款常用的核心功率器件。
TKA1N5S17,TKE1N5S17
