时间：2025/8/5 20:28:35
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DSEK80-0045B是一款由东芝（Toshiba）推出的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。DSEK80-0045B采用紧凑的封装设计，便于集成到各种工业设备中。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（Vce）：1200V
额定集电极电流（Ic）：80A
短路耐受电流：150A
最大工作温度：150°C
封装类型：双列直插式（DIP）
封装尺寸：130mm x 76mm x 17mm
安装方式：螺钉安装
DSEK80-0045B具备优异的电气性能和热管理能力，能够在高功率密度环境下稳定工作。其内部采用先进的IGBT芯片技术，具有较低的导通损耗和开关损耗，提高了整体系统的效率。此外，该模块还具有较强的短路耐受能力，能够在突发的短路情况下保护自身不受损坏。模块的封装设计提供了良好的绝缘性能和机械强度，确保在恶劣工业环境中长期可靠运行。DSEK80-0045B还支持并联使用，以满足更高功率需求的应用场景。
DSEK80-0045B广泛应用于工业电机驱动、变频器、逆变器、电焊机、电源转换系统以及新能源领域的光伏逆变器和电动汽车充电设备等高功率场合。其高效能和高可靠性使其成为工业自动化、能源管理和电力电子系统中的关键组件。
SKM80GB12T4ag, FS800R12KT4
