时间：2025/12/28 21:29:50
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DSD635-18D 是一款由东芝（Toshiba）生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，主要用于高功率电子设备中，如变频器、电机驱动器和工业自动化设备。该模块结合了高功率处理能力和高效的开关性能，适用于需要高可靠性和稳定性的应用环境。
类型：IGBT模块
最大集电极电流（IC）：600A
最大集电极-发射极电压（VCES）：1800V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：双列直插式（DIP）
导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
输入电容（Cies）：约2200pF
输出电容（Coes）：约500pF
反向恢复时间（trr）：约2.5μs
DSD635-18D 的主要特性之一是其高耐压能力，最大集电极-发射极电压可达 1800V，这使其适用于高电压工作环境。该模块的集电极电流额定值为 600A，能够承受较大的负载电流，适合高功率应用。
此外，DSD635-18D 具有较低的导通压降（VCE_sat），通常在 2.1V 左右，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。其输入和输出电容分别为 2200pF 和 500pF，确保了模块在高频开关操作中的稳定性。
DSD635-18D 主要用于需要高功率处理能力的工业设备，如变频器、电机驱动器和电源转换系统。由于其高耐压和大电流能力，该模块也广泛应用于电力电子系统中，如不间断电源（UPS）、逆变器和电焊机。此外，DSD635-18D 还适用于工业自动化设备和电动汽车充电系统。
DSD635-18A，DSD635-18B，DSD635-18E
