型号：DSBO15-TB
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装类型：SOT-23
　　二极管配置：双路共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　正向电压（VF）：@ IF = 10mA, 0.36V（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 30V, 500nA（最大值）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　热阻（RθJA）：380°C/W（典型值）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

DSBO15-TB的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构所带来的优异电学性能。首先，其显著低于传统硅二极管的正向压降特性，使得在低电压、小电流的应用场景下能量损失极小，这对于电池供电设备或追求高能效的电源管理系统尤为重要。例如，在3.3V或5V逻辑系统的电源路径中，使用DSBO15-TB进行防反接保护时，其仅约0.36V的压降意味着更高的输出电压保持能力和更少的热量产生。
　　其次，肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，因此不存在少数载流子存储效应，这赋予了DSBO15-TB极短的反向恢复时间（tRR），通常小于1纳秒。这一特性使其非常适合用于高频整流、高速开关电源以及信号解调等场合，能够有效减少开关过程中的交叉导通损耗和电压尖峰现象，提升整体系统稳定性与EMI表现。
　　再者，DSBO15-TB的SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.9mm x 1.6mm x 1.1mm），便于实现紧凑布局，而且具有良好的热传导性能和机械可靠性。该封装支持自动化贴片工艺，适用于大规模回流焊生产流程，有助于提高制造效率并降低成本。
　　此外，器件具备较高的反向击穿电压裕度（30V）与稳定的漏电流控制能力，在高温环境下仍能维持较低的反向漏电水平（最大500nA @ 30V），确保长期运行的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ +125°C）也使其可应用于严苛环境下的工业控制、汽车电子及通信模块中。综合来看，DSBO15-TB是一款高性能、高可靠性的双肖特基二极管解决方案，兼顾效率、速度与空间优化需求。

DSBO15-TB常被用于多种模拟与数字电路中的关键功能模块。最常见的应用之一是电源极性反接保护，尤其是在USB接口、单板计算机（如树莓派类设备）或便携式消费电子产品中，利用其低VF特性可在防止电源接反而损坏后级电路的同时最小化压降损失。另一个典型用途是在双通道信号整流或箝位电路中，例如音频信号处理前端或传感器信号调理电路，其中每个二极管可用于限制输入信号的正负摆幅，保护后续的敏感放大器或ADC输入端口。
　　此外，该器件还可用于冗余电源选择电路（OR-ing电路），当系统存在主备两路电源时，两个肖特基二极管分别接入不同电源路径，自动导通电压较高的那一路，实现无缝切换与故障隔离。由于其低正向压降，相比普通二极管方案可显著减少功率损耗，尤其适用于低电压供电系统。
　　在高频开关电源或DC-DC转换器中，DSBO15-TB也可作为次级侧整流元件使用，特别是在小功率反激式或降压拓扑中，虽然其电流承载能力有限（200mA），但在轻负载条件下依然表现出色。同时，它也被广泛用于ESD保护辅助电路、逻辑电平移位、电池充电管理模块以及各类嵌入式控制系统中，作为信号隔离与噪声抑制的元件。得益于其小型化封装与高可靠性，DSBO15-TB在通信设备、智能家居、工业传感、汽车电子等多个领域均有广泛应用。

MBR0140T1G
　　PMES281B2,115
　　BAT54C
　　RB520S-30
　　SMSB10