DSANR-3 时间：2025/12/28 3:58:00 阅读：13

DSANR-3 是一款由Diodes Incorporated生产的通用N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等场景。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在较低的导通电阻下实现高效的电流传导，同时具备良好的热稳定性和可靠性。DSANR-3的设计目标是为高密度、低电压、高效率的应用提供一个紧凑且性能优异的解决方案。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、电机驱动、LED驱动以及电池供电设备中的开关功能模块。其封装形式为SOT-23（Small Outline Transistor），是一种小型表面贴装三引脚封装，适合在空间受限的印刷电路板上使用。
　　由于其良好的栅极驱动兼容性，DSANR-3可以轻松与数字控制器或逻辑IC接口，适用于现代嵌入式系统中的低功耗控制需求。此外，该器件具有较高的输入阻抗和快速的开关响应能力，使其在高频操作中表现出色。尽管尺寸小巧，但DSANR-3在适当的PCB布局和散热设计下仍能承受一定的连续电流负载，满足多数消费类电子产品和工业控制应用的基本要求。

参数

型号：DSANR-3
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)：1.9A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：6.5A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 1.8V
　　导通电阻(RDS(on))：47mΩ @ VGS = 10V, ID = 1.9A
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 1.9A
　　导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS = 2.5V, ID = 1.2A
　　输入电容(Ciss)：375pF @ VDS = 15V
　　输出电容(Coss)：125pF @ VDS = 15V
　　反向恢复时间(trr)：16ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

特性

DSANR-3采用先进的沟槽式MOSFET工艺，在小信号封装中实现了出色的导通性能和开关速度。其低阈值电压特性使得它能够兼容3.3V甚至更低的逻辑电平驱动信号，非常适合用于微控制器直接驱动的应用场合。当栅极施加足够电压时，器件迅速进入饱和导通状态，RDS(on)可低至47mΩ（在VGS=10V条件下），显著降低了导通损耗，提升了整体系统效率。即使在较低的驱动电压如4.5V或2.5V下，其导通电阻依然保持在合理范围内，确保了在电池供电系统中随着电压下降仍能维持良好性能。
　　该器件具备优良的开关特性，输入电容仅为375pF，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关响应速度。这对于高频PWM控制应用尤其重要，例如在便携式设备的背光调节或小型电机调速中，能够有效降低开关损耗并提高动态响应能力。此外，DSANR-3内部寄生二极管具有较短的反向恢复时间（trr=16ns），减少了在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰风险，增强了系统的稳定性。
　　从可靠性角度看，DSANR-3具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境条件下稳定运行。其SOT-23封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。通过优化PCB布局，增加铜箔面积以辅助散热，可以使该器件在实际应用中承载接近其额定电流的能力。总体而言，DSANR-3是一款兼顾性能、尺寸与成本的理想选择，特别适用于对体积敏感且需要高效开关控制的小功率电子系统。

应用

DSANR-3常被用于各类低电压、小电流的开关控制应用中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电源开关和负载切换，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的外设供电控制。在这些系统中，MCU可以通过GPIO引脚直接驱动DSANR-3的栅极，实现对外部模块如传感器、显示屏或无线通信单元的上电与断电管理，从而达到节能目的。
　　此外，该器件也广泛应用于直流电机驱动电路中，作为H桥结构的一部分或用于单向电机的速度调节。配合PWM信号，能够实现精确的转速控制，并因其快速响应能力而减少启停延迟。
　　在LED照明领域，特别是手持灯具或装饰灯带中，DSANR-3可用于恒流源的开关调节部分，或者作为多路LED的选择性开启/关闭控制元件。其低导通电阻有助于减少发热，提升光效一致性。
　　其他常见用途还包括DC-DC升压或降压转换器中的同步整流开关、电池充放电保护电路中的通断控制、热插拔电路中的软启动功能实现，以及各类工业控制板上的继电器替代方案——利用固态MOSFET代替机械继电器，提高寿命和可靠性。