DSAI75-18B 时间：2025/8/6 9:18:11 阅读：20

DSAI75-18B是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块广泛应用于工业电机驱动、逆变器、电力转换系统等领域。DSAI75-18B集成了多个IGBT芯片和反并联二极管，具有高电流承载能力和优异的热性能。

参数

类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1800V
　　额定集电极电流（IC）：75A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　热阻（Rth）：约1.2K/W
　　工作频率范围：最高可达20kHz

特性

DSAI75-18B具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该模块的额定电压为1800V，能够满足高压系统的需求，同时额定电流为75A，支持高功率输出。其工作温度范围从-40°C到+150°C，适用于严苛的工业环境。此外，DSAI75-18B具有较低的热阻，约1.2K/W，有助于提高散热效率，延长模块寿命。
　　该模块支持高达20kHz的开关频率，适用于高频开关应用，减少了输出滤波器的尺寸和重量。IGBT芯片采用了先进的沟槽栅极技术和场截止结构，降低了导通压降和开关损耗，提高了系统效率。同时，模块内部集成反并联二极管，优化了续流性能，减少了外部元件数量，提高了系统可靠性。
　　DSAI75-18B还具备良好的短路耐受能力，典型值为10μs，能够在短路或过载情况下提供足够的保护时间，防止器件损坏。此外，其封装形式为双列直插式封装（DIP），便于安装和维护，并具有良好的绝缘性能，确保操作安全。

应用

DSAI75-18B广泛应用于多种高功率电子系统中，例如工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电焊机等。其高电压和高电流能力使其非常适合用于需要高效能功率转换的场合。在电机驱动应用中，DSAI75-18B可提供稳定的输出波形，减少谐波失真，提高电机运行效率。在可再生能源系统中，如光伏逆变器，该模块能够实现高效的直流到交流转换，提高能源利用率。此外，DSAI75-18B也常用于电源管理系统和电力调节设备中，支持智能电网和工业自动化系统的稳定运行。