类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：5A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：20nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：850pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220FP

DSA605-29A采用了STMicroelectronics先进的Trench Field-Stop技术，使得该MOSFET在高压应用中具备出色的导通和开关性能。其导通电阻RDS(on)仅为1.2Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷Qg仅为20nC，有助于减少高频开关过程中的能量损耗，提升开关速度和能效。输入电容Ciss为850pF，意味着其在高频应用中表现出较低的输入阻抗，有助于减少驱动电路的负担。TO-220FP封装具备良好的散热性能，确保在高功率工作条件下依然保持稳定运行。
　　DSA605-29A的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种严苛环境下的应用，包括工业自动化、电力电子设备、电动车电源管理系统和照明控制系统等。其高耐压能力（600V）和稳定的电气性能，使其成为高电压转换器和功率控制电路中的理想选择。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在突发的高能量负载下保持稳定运行，增强系统的可靠性。同时，其低漏电流特性也使得在关断状态下功耗更低，进一步提高了系统的能效。

DSA605-29A广泛应用于各类高电压和高效率的电源系统中。例如，在AC-DC和DC-DC电源转换器中，该器件能够实现高效的电压转换，适用于服务器电源、通信设备电源、工业电源和LED照明电源等场景。在电机控制应用中，DSA605-29A可用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC），实现高效的能量传输和精确的速度控制。此外，该MOSFET也常用于高亮度LED照明系统的驱动电路，确保光源的稳定性和长寿命。
　　由于其高耐压和低导通损耗的特性，DSA605-29A也适用于光伏逆变器、电动车充电器和储能系统的功率转换模块中。在这些应用中，它能够承受高电压应力，同时保持较高的转换效率，从而提升整个系统的性能和可靠性。

STP5NK60Z, FQP5N60C, IRFBC30