时间：2025/8/5 12:56:13
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DSA10C150UC 是一款由 Diodes 公司生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种功率电子系统。
类型：MOSFET
通道类型：N 沟道
数量：双路
最大漏极电流（ID）：10A（单个通道）
最大漏极-源极电压（VDS）：150V
导通电阻（RDS(on)）：70mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：35nC
封装类型：DFN5x6
DSA10C150UC 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件支持高电流负载，每个通道的最大连续漏极电流可达 10A，适用于中高功率应用。此外，该 MOSFET 的热阻较低，能够在高功率密度环境下保持良好的散热性能，提高了器件的稳定性和可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，适用于多种驱动电路设计。
该器件采用 DFN5x6 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力，适用于空间受限的设计。此外，双路 N 沟道配置使其在 H 桥、同步整流和负载开关等应用中非常灵活，能够简化电路设计并减少外围元件数量。DSA10C150UC 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提高系统响应速度。
DSA10C150UC 主要用于需要高效功率控制的电子设备中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其优异的导通特性和紧凑的封装设计，也广泛应用于便携式电源设备和服务器电源模块中。
SiSS150DN, SQ150F1-150-GE3, IPB150N15N3G
