类型：肖特基二极管
　　封装：SOD-323
　　最大重复反向电压 VRRM：60V
　　最大平均整流电流 IF(AV)：200mA
　　正向压降 VF（典型值）：450mV @ 10mA, 25°C
　　峰值浪涌电流 IFSM：8A
　　反向漏电流 IR：100μA（最大值，@ 60V, 25°C）
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　热阻 θJA：350°C/W（典型值）
　　极性：单阳极-阴极配置

DS60R-TRL的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了正向导通压降，从而在小电流工作条件下实现更高的能量转换效率。与普通硅二极管相比，其正向压降可低至450mV左右，在10mA的工作电流下即可表现出优异的节能特性，这对于电池供电设备尤为重要。同时，由于没有少子存储效应，该器件具备极快的反向恢复速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此非常适合用于高频开关电路中，如便携式设备中的同步整流或续流二极管应用场景。
　　该器件的SOD-323封装仅有约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm的尺寸，属于微型表面贴装封装，极大节省PCB布局空间，特别适用于高密度组装的便携式电子产品。尽管体积小巧，但其具备良好的散热设计和热稳定性，可在高达+125°C的结温下持续运行，满足大多数工业和消费类产品的环境要求。此外，器件经过优化设计，具有较低的寄生电容，有助于减少高频下的开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　DS60R-TRL还具备出色的可靠性，通过了严格的AEC-Q101认证测试（如适用版本），表明其在温度循环、湿度、机械应力等方面具有高耐受能力。其反向漏电流控制在较低水平（最大100μA @ 60V），即使在高温环境下也能保持较好的关断性能。总体而言，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是现代低功率电源管理方案中的理想选择之一。

DS60R-TRL被广泛应用于多种低电压、小电流的电源与信号处理电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器的续流二极管，例如在手机背光驱动、USB充电管理模块、LDO稳压器旁路电路中发挥关键作用。此外，它也常用于防止反向电流流动的防倒灌电路，保护敏感电源路径不受损坏。在电池供电系统中，该二极管可用于电池与备用电源之间的隔离，确保能量不会从主电源流向电池造成不必要的放电。
　　在通信接口电路中，DS60R-TRL可用于ESD保护和信号整流，因其快速响应能力和低电容特性，能够有效抑制瞬态电压冲击而不影响信号完整性。在物联网（IoT）设备和可穿戴设备中，由于对功耗和空间要求极为严格，该器件凭借其低VF和微型封装成为首选方案。此外，它还适用于AC-DC适配器次级侧的小功率整流任务、LED指示灯电路中的极性保护，以及各类传感器模块的电源管理部分。
　　工业控制领域的小型化模块、智能家居设备、无线耳机充电仓、蓝牙音箱等产品也普遍采用此类高性能肖特基二极管来提升系统效率并缩小整体尺寸。总之，凡是在需要高效、小型、低成本整流解决方案的场合，DS60R-TRL都能提供稳定可靠的性能表现。

BAS40-04W, PMEG2005EH, RB520S-40, MMBD4148, SMS7621