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DS5022P-274MLD 发布时间 时间:2025/12/27 23:33:10 查看 阅读:14

DS5022P-274MLD是一款由Vishay Siliconix生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS阵列),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷击等瞬态过电压事件的损害而设计。该器件采用多层陶瓷封装(MLP),具有紧凑的表面贴装外形,适用于高密度印刷电路板布局。DS5022P-274MLD集成了多个TVS二极管,能够同时保护多条信号线,广泛应用于通信接口、消费类电子产品和工业控制系统中。其设计目标是在瞬态事件发生时迅速将过电压钳位到安全水平,从而防止下游集成电路受损。该器件符合RoHS和无卤素要求,适合在现代环保型电子产品中使用。

参数

器件型号:DS5022P-274MLD
  制造商:Vishay Siliconix
  封装类型:MLP(Mini Lead Frame Package)
  引脚数:10
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  峰值脉冲功率(PPP):2.5kW(8/20μs电流波形)
  反向 standoff 电压(VRWM):5V
  击穿电压(VBR):6.4V(最大值)
  钳位电压(VC):13V(在IPP = 1A条件下)
  漏电流(IR):小于1μA(在VRWM下)
  电容值(Cj):典型值为15pF(在0V偏置下)
  通道数量:4通道单向保护
  ESD耐受能力:±30kV(人体模型HBM)

特性

DS5022P-274MLD具备优异的瞬态电压抑制性能,能够在纳秒级时间内响应高达±30kV的静电放电冲击,确保被保护线路在极端环境下仍能稳定运行。其核心优势之一是低电容设计,典型结电容仅为15pF,在高速数据传输应用中几乎不会引入信号失真或衰减,因此非常适合用于USB、HDMI、RS-485、CAN总线以及其他高频信号接口的保护。此外,该器件采用单向二极管结构,允许在正向瞬态过压时导通并将能量泄放到地,而在正常工作电压范围内保持高阻抗状态,不影响系统功能。
  另一个关键特性是其高能量吸收能力,额定峰值脉冲功率可达2.5kW(基于8/20μs电流波形测试),这使其不仅能够应对日常操作中的ESD事件,还能承受工业环境中常见的电快速瞬变脉冲群(EFT)和感应雷击引起的浪涌。这种鲁棒性使得DS5022P-274MLD成为工业自动化、楼宇控制和户外电子设备的理想选择。器件的微型MLP封装尺寸仅为3mm × 2mm左右,极大节省了PCB空间,同时支持自动贴片工艺,提高了生产效率和装配可靠性。
  热稳定性方面,DS5022P-274MLD可在-55°C至+125°C的宽温度范围内可靠工作,适应严苛的环境条件。其材料符合国际环保标准,包括RoHS指令和无卤素要求,满足现代电子产品对绿色制造的需求。由于其多通道集成设计,单个器件即可实现四路信号线的同时保护,减少了元件数量和布板复杂度,降低了整体系统成本。此外,该TVS阵列具有极低的漏电流(<1μA),在待机或低功耗模式下不会增加系统的静态功耗,适用于电池供电设备。

应用

DS5022P-274MLD广泛应用于需要高可靠性瞬态保护的电子系统中,尤其适用于各类高速数据接口的ESD防护。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的USB端口、音频插孔和显示接口保护。在通信领域,它可用于以太网端口、RS-232/RS-485串行通信接口以及CAN总线系统的瞬态抑制,防止因电缆感应或接地差异引发的电压尖峰损坏主控芯片。工业控制系统中,该器件常被部署于PLC模块、传感器接口和人机界面(HMI)设备中,提供对抗工厂环境中频繁出现的开关噪声和电源扰动的能力。
  此外,DS5022P-274MLD也适用于汽车电子中的非动力总成系统,例如车载信息娱乐系统、导航设备和车内网络通信接口,这些场合对电磁兼容性和长期稳定性有严格要求。在医疗电子设备中,由于其低泄漏电流和高信号完整性特点,可用于保护患者连接的监测仪器接口,避免外部干扰影响测量精度。智能家居和物联网设备中,该TVS阵列可用于Wi-Fi模块、Zigbee射频前端和I2C/SPI控制总线的保护,提升产品在现场复杂电磁环境下的抗干扰能力。总之,任何存在静电暴露风险或电气瞬变威胁的低压信号线路均可受益于DS5022P-274MLD提供的高效、紧凑且可靠的保护方案。

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