DS25BR120 时间：2025/5/7 8:46:55 阅读：13

DS25BR120 是一款由 Maxim Integrated 生产的双向、非易失性存储器 (NV) SRAM 缓冲器，适用于需要高速数据传输和可靠存储的应用。该芯片内置了铁电随机存取存储器 (FRAM)，能够在断电时保留数据，并且具有低功耗特性，非常适合电池供电设备或对能耗敏感的系统。
　　DS25BR120 的设计允许在高速 SPI 接口下进行数据缓冲和暂存，同时支持快速写入和读取操作。由于其非易失性存储能力，它可以在突然断电的情况下自动保存数据，无需外部电源支持。

参数

工作电压：1.8V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：SPI
　　存储容量：128 字节 NV SRAM
　　访问时间：小于 35ns
　　数据保持时间：超过 10 年
　　写入耐久性：大于 10^12 次擦写周期
　　封装类型：8 引脚 SOIC 和 8 引脚 TSSOP

特性

DS25BR120 具有以下非易失性存储：即使在断电情况下也能保存数据，无需额外备份电源。
　　2. 快速访问速度：支持高达 50MHz 的 SPI 时钟频率，适合实时数据处理应用。
　　3. 低功耗运行：在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池寿命。
　　4. 可靠性高：具备出色的抗辐射能力和耐久性，适合工业和汽车环境。
　　5. 简化设计：无需 EEPROM 或闪存即可实现数据存储功能，减少系统复杂度。
　　6. 宽工作电压范围：兼容多种供电场景，适应性强。
　　7. 小型封装：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。

应用

DS25BR120 广泛应用于以下领域：
　　1. 工业自动化：用于控制器中的数据日志记录和参数存储。
　　2. 汽车电子：适用于发动机控制单元 (ECU) 和其他关键系统的临时数据缓存。
　　3. 医疗设备：为便携式医疗仪器提供可靠的数据存储解决方案。
　　4. 计量仪表：如智能电表，用以保存重要测量数据。
　　5. 物联网 (IoT) 设备：在传感器节点中用作本地数据缓存，减少网络通信负担。
　　6. 电池管理系统：监测和存储电池健康状态及使用历史。