时间：2025/7/30 20:31:23
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DS1345Y-100 是一款由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）制造的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了高速 SRAM 与非易失性存储技术，能够在断电情况下通过外部电源（如电池）保存存储数据。DS1345Y-100 包含 1 Mbit（128K x 8）的存储容量，适用于需要高速访问和数据保留的应用场景。该芯片采用自动电源检测功能，在主电源失效时自动切换到备用电源以保护数据。其封装形式为 28 引脚 SOIC，适用于工业级温度范围。
存储容量：1 Mbit (128K x 8)
工作电压：3.3V 或 5V 可选
访问时间：10 ns 最大
封装类型：28 引脚 SOIC
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持电流：典型值 100nA（备用模式）
读/写周期时间：10 ns
封装类型：表面贴装
电源监测功能：支持自动电源切换与检测
备用电源：电池或超级电容供电
DS1345Y-100 是一款高性能 NVSRAM 存储器，结合了传统 SRAM 的高速访问能力与非易失性存储器的数据保持能力。该芯片内置电源监控电路，能够在主电源失效时自动切换到备用电源，确保数据不丢失。其高速访问时间（10 ns）使其适用于对性能要求极高的系统应用。该芯片支持工业级宽温范围（-40°C 至 +85°C），适合恶劣环境下的应用。
DS1345Y-100 的存储容量为 1 Mbit，适用于需要大容量高速缓存的嵌入式系统、数据记录设备、工业控制和通信设备。其低功耗特性（备用模式下典型电流仅为 100nA）使得其在长时间断电情况下仍能保持数据完整性。
此外，该芯片采用标准异步 SRAM 接口，便于与现有系统集成。无需特殊的软件或硬件管理即可实现数据持久化存储，极大简化了系统设计。其封装形式为小型 28 引脚 SOIC，节省 PCB 空间，适合高密度设计。
DS1345Y-100 适用于需要高速数据存储与非易失性数据保留的应用场景，包括工业控制系统、数据采集设备、通信设备、医疗仪器、POS 终端、安全系统、嵌入式设备、电池供电系统等。其高速访问和低功耗特性使其成为替代传统电池备份 SRAM 或 EEPROM 的理想选择。
DS1245Y-100, CY14B101N-ZS45XI, FM1608-SRAM, IS61WV1288B4-10BLL
