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DS1245AB-150IND+ 发布时间 时间:2025/5/16 15:38:29 查看 阅读:6

DS1245AB是一款由Maxim Integrated(现为Analog Devices的一部分)生产的非易失性静态RAM(NVRAM)。该芯片结合了SRAM和微小型锂电池技术,可以在外部电源中断时保留数据。DS1245AB-150IND+是工业级版本,具有更宽的工作温度范围和更高的可靠性。
  它通常用于需要频繁写入数据且必须在断电后保持数据完整性的应用场合,例如仪表、数据记录器和嵌入式系统等。

参数

存储容量:32K x 8位(32768字节)
  工作电压:4.5V至5.5V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据保留时间:10年(典型值,在电池支持下)
  访问时间:70ns(最大值)
  封装类型:32引脚陶瓷DIP或SOIC
  引脚间距:0.1英寸
  电池电压:3.6V(典型值)

特性

DS1245AB集成了一个高可靠性的锂电池,即使主电源断开也能确保数据不丢失。
  该器件使用标准的SRAM接口,便于与各种微控制器或处理器连接。
  内置电池管理系统可自动监测电池状态,并在必要时发出警告信号。
  具有低功耗待机模式,可延长电池寿命。
  具备防静电保护功能,提高系统的稳定性。
  采用CMOS工艺制造,降低了功耗并提高了速度。
  提供工业级温度范围选项,适合恶劣环境下的应用。

应用

DS1245AB适用于需要实时数据记录和断电保护的应用场景。
  常见应用包括:
  1. 工业控制设备中的配置参数存储。
  2. 医疗设备的数据记录与保存。
  3. 电力计量仪器中的历史数据存储。
  4. 环境监测系统中的数据采集。
  5. 嵌入式计算机系统的临时数据缓冲。
  由于其高可靠性和较长的数据保留时间,DS1245AB特别适合要求长时间运行且不能频繁更换电池的设备。

替代型号

DS1245L, DS1245M

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