时间：2025/4/30 19:37:38
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DS1232L 是一款由 Maxim Integrated 生产的双极性、非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）。它结合了高速 SRAM 和非易失性存储技术，能够在系统断电时保存数据。该器件具有高可靠性、低功耗和快速读写速度的特点，广泛应用于需要频繁数据更新和长期数据保存的场景。
DS1232L 的“PSN+T&R”后缀通常表示其封装类型为 SOIC-8 封装，并可能包含特定的订购选项或测试筛选条件。
容量：256位（32 字节）
工作电压：1.8V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：10年（典型值）
封装类型：SOIC-8
访问时间：70ns 最大
静态电流：5μA 最大（备用模式）
接口类型：并行异步访问
DS1232L 具有以下主要特性：
1. 非易失性存储：内置锂电池供电，在主电源断开时可确保数据不丢失。
2. 快速读写：支持高速数据传输，适用于实时数据记录的应用。
3. 简单接口：采用标准的并行 SRAM 接口，便于与微控制器或其他处理器连接。
4. 超低功耗：在待机模式下消耗极低的电流，适合电池供电设备。
5. 高可靠性：经过严格的筛选测试，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
6. 宽电压范围：支持 1.8V 至 5.5V 工作电压，适应多种电源设计需求。
DS1232L 适用于以下领域：
1. 数据记录：如医疗设备、工业控制、环境监测中的短期和长期数据采集。
2. 参数存储：在需要频繁修改但又要求掉电保存的场景中使用，例如打印机配置、通信模块设置。
3. 嵌入式系统：作为小型嵌入式设备的辅助存储器，用于存储关键信息或校准参数。
4. 实时日志：记录操作历史或故障信息，便于后续分析和维护。
5. 消费电子：如便携式音频设备、智能家居产品等需要小容量非易失性存储的应用。
DS1232L-SNI+T&R
DS1232L-PUN+T&R
