时间：2025/6/13 18:30:18
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DS1230Y-200+ 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片。该芯片结合了高速静态随机存取存储器 (SRAM) 和非易失性铁电存储器 (FRAM) 的特性，能够在断电时自动将 SRAM 数据保存到 FRAM 中，并在重新上电时恢复数据。这种设计非常适合需要频繁写入和高可靠性的应用，例如工业控制、医疗设备和计量系统。
DS1230Y-200+ 提供 32Kb 的存储容量，分为 4096 字地址和 8 位数据宽度。该芯片支持多种工作电压范围，具备快速访问时间和低功耗的特点。
存储容量：32Kb
数据宽度：8 位
地址线：12 条
工作电压：4.5V 至 5.5V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：20 引脚 DIP/SOIC
数据保持时间：超过 10 年
写入周期：无限制
访问时间：70ns（典型值）
DS1230Y-200+ 具有以下显著特性：
1. 非易失性存储功能：当主电源中断时，芯片内部的电池备份电路会自动将 SRAM 数据复制到 FRAM 存储区，确保数据完整性。
2. 自动恢复功能：当电源恢复后，芯片会自动将 FRAM 中的数据恢复到 SRAM 中，无需额外的操作。
3. 快速写入速度：由于使用 FRAM 技术，写入操作无需等待时间，极大提升了性能。
4. 极低功耗：在待机模式下，功耗非常低，适合电池供电的应用场景。
5. 可靠性高：能够承受数百万次的读写操作而不影响寿命。
6. 简化设计：减少了对额外 EEPROM 或闪存的需求，降低了系统复杂性和成本。
DS1230Y-200+ 适用于以下应用场景：
1. 工业控制系统：用于保存关键配置参数或运行状态信息。
2. 医疗设备：如监护仪、血糖仪等需要实时记录患者数据的设备。
3. 计量仪表：如智能电表、水表等，用于存储用电用水数据。
4. 通信设备：在网络路由器或交换机中作为临时数据缓冲区。
5. 消费类电子产品：如打印机、扫描仪等需要非易失性存储的应用。
6. 数据记录器：用于环境监测或其他需要长时间记录数据的场合。
DS1230Y, DS1230Z, DS1230Y-100, FM24CL64B
