时间：2025/6/6 19:53:06
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DS1230AB-70 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片，它结合了静态随机存取存储器 (SRAM) 和非易失性存储功能。该芯片能够在断电时通过内部的 EEPROM 自动保存 SRAM 数据，并在重新上电后恢复数据。这种特性使其非常适合需要高可靠性、快速访问和数据持久性的应用场景。
DS1230AB-70 提供了一个 32Kb 的 SRAM 存储空间（4096 字节），并集成了一个锂离子电池或外部超级电容接口以支持数据保护。此外，它还具有自动数据备份功能，在检测到电源故障时能够无缝切换到非易失性模式。
存储容量：32Kb (4096 字节)
工作电压：1.8V 至 5.5V
数据保持时间：10 年（使用锂电池）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOIC-8, DIP-8
写入周期：无需额外写入时间（SRAM 操作）
数据保留：通过内部 EEPROM 实现
功耗：低功耗待机模式
DS1230AB-70 具有以下主要特性：
1. 高速 SRAM 访问速度，典型值为 70ns。
2. 内置非易失性存储功能，断电时自动保存 SRAM 数据。
3. 支持多种电源管理选项，包括外部电容或锂电池供电。
4. 宽工作电压范围，适合多种应用环境。
5. 小型封装设计，易于集成到紧凑型系统中。
6. 高可靠性设计，确保数据完整性和长期存储能力。
7. 工业级工作温度范围，适应恶劣环境下的操作需求。
DS1230AB-70 的典型应用领域包括：
1. 工业控制设备中的配置和状态数据存储。
2. 医疗设备中的关键参数记录。
3. 通信系统中的实时数据缓冲与保存。
4. 仪表仪器的数据采集与日志记录。
5. 嵌入式系统中的临时数据存储及掉电保护。
6. 物联网设备中的小型化数据存储解决方案。
由于其非易失性和高速性能，DS1230AB-70 在需要频繁读写且要求数据持久性的场景下表现尤为出色。
DS1230Y-50, DS1230A-70, CY14B101MN, AT24C02
