时间：2025/5/12 15:46:05
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DS1230 是一款由 Maxim Integrated 提供的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)，结合了高速 SRAM 和非易失性存储功能。这款芯片可以在系统断电时保留数据，使用内部电池或超级电容作为备用电源，确保在主电源中断时数据不会丢失。
DS1230AB-120IND+ 特别设计用于工业和商业应用，具备高可靠性、低功耗以及较长的数据保存时间。该器件采用 SOIC 封装，适用于需要频繁写入和读取的应用场景。
类型：NVSRAM
容量：32K x 8 bits
接口：并行接口
工作电压：4.5V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOIC-16
数据保持时间：10年（使用备用电源）
写入周期：无限制（与SRAM相同）
DS1230AB-120IND+ 的主要特性包括：
1. 非易失性存储：即使主电源断开，也能通过内置电路保存数据。
2. 高速读写能力：支持快速访问 SRAM 数据，性能优越。
3. 内置控制逻辑：简化外部硬件需求，便于集成到系统中。
4. 宽工作电压范围：能够在多种供电条件下正常运行。
5. 可靠性高：适用于关键任务型应用场景，例如计量设备、医疗仪器等。
6. 超长数据保存：使用后备电源可保存数据长达十年。
7. 多种引脚配置：提供灵活性以适配不同的 PCB 布局需求。
DS1230AB-120IND+ 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化：用于实时数据记录和过程控制。
2. 计量仪表：如电表、水表和气表中的数据存储。
3. 医疗设备：如监护仪、超声波设备的数据日志记录。
4. 通信设备：路由器、交换机的配置文件存储。
5. 汽车电子：行车记录仪、发动机控制单元的数据备份。
6. 金融终端：ATM机、POS机中的交易信息存储。
7. 物联网设备：传感器网络中的数据缓冲和持久化存储。
DS1230Y-100, DS1231, CY14B101MN
