DS1225Y 时间：2025/7/24 21:37:49 阅读：7

DS1225Y 是由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。它结合了 SRAM 的高速读写特性和非易失性存储技术，内置锂电池作为备用电源，在主电源断电时能够自动保存数据。DS1225Y 提供 8K x 8 位（即 64Kbit）的存储容量，适用于需要数据持久性和高速访问的工业控制系统、数据记录设备、智能电表等应用场景。

参数

容量：64Kbit（8K x 8）
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：28 引脚 DIP
　　读取时间：最大 55ns
　　写入时间：最大 55ns
　　数据保持电流：典型值 1.5μA（在 25°C）
　　电池电压监测：内置电池电压检测电路
　　电池供电模式：内置锂电池

特性

DS1225Y 的主要特性之一是其集成的锂电池电源管理系统，确保在主电源失效时数据不会丢失。该芯片在正常工作状态下具有 SRAM 的高速读写性能，读写访问时间均为 55ns，适用于对响应时间要求较高的系统设计。此外，DS1225Y 内置电压监控电路，当主电源电压下降到设定阈值以下时，会自动切换到电池供电模式，防止数据损坏。该芯片采用 28 引脚 DIP 封装，便于在嵌入式系统中安装和替换。其低功耗数据保持模式（典型值 1.5μA）使得内置电池具有较长的使用寿命，通常可达 10 年以上。
　　DS1225Y 还具备写保护功能，在电源切换过程中自动禁止写操作，防止意外数据写入或损坏。该芯片无需外部控制电路即可实现数据保存功能，简化了系统设计。此外，其工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种严苛环境下的应用，例如工业自动化控制、电力监控系统和嵌入式数据存储设备。

应用

DS1225Y 主要用于需要非易失性高速存储的场合，例如工业控制系统中的配置数据和状态信息存储、智能电表中的计量数据保存、POS 终端的数据缓冲、医疗设备的参数设置、嵌入式系统的启动配置存储等。其高速读写能力和数据保持能力使其特别适用于那些对数据完整性要求高、且需要频繁访问的系统中。例如，在工厂自动化控制系统中，DS1225Y 可用于保存关键的运行参数和事件日志，即使在断电情况下也不会丢失数据；在智能电表中，可用于存储电量计数、时间戳和报警信息等关键数据。此外，该芯片也可用于需要快速启动和数据恢复的嵌入式系统，如网络设备和安全系统。