时间：2025/4/29 15:00:05
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DS1225Y 是一款双通道非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），由 Maxim Integrated 提供。这款芯片结合了高速 SRAM 和非易失性存储功能，能够在系统掉电时自动将数据保存到非易失性存储器中，从而确保关键数据的安全性。
DS1225Y 采用行业标准的同步接口，支持高达 100MHz 的工作频率，并且具备低功耗特性，非常适合需要高性能和高可靠性的应用环境。该型号还集成了锂离子电池以支持数据保存功能，避免了外部电池的需求。
容量：256K x 18 (4.5Mb)
工作电压：3.0V 至 3.6V
接口类型：同步接口
工作频率：最高 100MHz
封装形式：48 引脚 TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
非易失性保存时间：10 年（典型值）
写入周期：无需额外写入周期（即时保存）
DS1225Y 的主要特性包括：
1. 集成 NVSRAM 技术，兼具高速 SRAM 的性能与非易失性存储器的数据保护功能。
2. 自动数据保护功能，在电源故障或系统异常情况下，可无缝切换至非易失性模式。
3. 内置锂离子电池，提供长达十年的数据保存能力，无需外接备用电源。
4. 支持多种工业标准的同步接口协议，便于集成到现有系统。
5. 具备低功耗待机模式，适合便携式设备及能耗敏感的应用场景。
6. 高可靠性设计，适用于医疗、工业控制、通信等领域。
DS1225Y 被广泛应用于需要高可靠性数据存储的场合，包括但不限于：
1. 工业自动化设备中的配置参数和运行数据记录。
2. 医疗设备中病人信息和诊断结果的实时保存。
3. 通信基站中的日志文件和临时数据缓存。
4. 数据采集系统中的关键数据备份。
5. POS 终端和其他金融终端的交易数据保护。
由于其出色的非易失性和快速访问性能，DS1225Y 成为许多高端嵌入式系统的首选存储解决方案。
DS1225Z, DS1225Y-200+, DS1225T
