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DS1225Y-200+ 发布时间 时间:2025/5/26 17:19:24 查看 阅读:4

DS1225Y-200+ 是一款由 Maxim Integrated(现为 Analog Devices 旗下)生产的双通道非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。该器件结合了高性能的 SRAM 和非易失性存储功能,能够在系统断电时通过外部电池或超级电容保存数据。
  DS1225Y-200+ 提供快速写入和读取速度,并且其非易失性特性使其非常适合需要频繁更新数据的应用场景,例如工业控制、医疗设备、通信系统以及数据记录器等。

参数

存储容量:32K x 8位(32KB)
  工作电压:4.5V 至 5.5V
  数据保留时间:超过10年(在使用备用电源的情况下)
  访问时间:55ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:28引脚SOIC、300mil陶瓷DIP

特性

DS1225Y-200+ 具有高可靠性和耐用性,能够确保在极端环境下保持数据完整性。
  1. 非易失性存储:即使主电源断开,数据仍然可以通过备用电源保存。
  2. 快速读写速度:支持高达55ns的访问时间,适合实时应用。
  3. 宽工作电压范围:支持从4.5V到5.5V的操作,简化了电源设计。
  4. 低功耗模式:当处于备用状态时,器件仅消耗极小电流以延长备用电源寿命。
  5. 引脚兼容性:与标准SRAM芯片引脚兼容,便于系统升级或替换。
  6. 工业级温度范围:能够在恶劣环境下稳定运行,满足工业和汽车应用需求。

应用

DS1225Y-200+ 广泛应用于需要数据安全性和实时性能的领域:
  1. 工业自动化:用于数据采集、过程控制和配置参数存储。
  2. 医疗设备:如监护仪、超声波设备中的日志记录和设置保存。
  3. 通信系统:在网络交换机、路由器中保存配置信息和临时数据。
  4. 数据记录器:适用于电力监控、气象站和其他需要长期记录数据的场合。
  5. 嵌入式系统:作为嵌入式控制器中的关键数据存储单元。
  6. 汽车电子:支持导航系统、车载信息娱乐系统中的非易失性存储需求。

替代型号

DS1225Y-100, DS1225Y-200

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DS1225Y-200+参数

  • 产品培训模块Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度200ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件