时间：2025/8/1 10:08:09
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WP7-P016VA1-R8000 是一款由 WeEn 半导体（原飞兆半导体功率器件部门）制造的功率晶体管模块，主要用于高功率开关应用。该器件集成了多个功率MOSFET或IGBT芯片，以实现高效的功率转换。该模块具有紧凑的设计和优异的热性能，适用于工业电机控制、电源转换、电动汽车充电系统以及可再生能源系统等应用场景。模块的封装设计使其易于集成到电路系统中，并具备良好的散热能力。
类型：功率晶体管模块
晶体管类型：MOSFET/IGBT混合模块
额定漏极电流（ID）：16A
漏源电压（VDS）：1200V
栅极驱动电压：15V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
热阻（Rth）：2.5°C/W
短路耐受能力：5μs
最大功耗：120W
WP7-P016VA1-R8000 模块具备多项先进的电气和热管理特性。首先，其采用了高集成度的MOSFET与IGBT芯片组合，能够在高电压和高电流条件下提供卓越的开关性能和导通损耗控制。模块内部结构优化，降低了寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
此外，该模块具备良好的热传导性能，采用高导热绝缘材料和铜基底设计，确保了器件在高负载下的稳定运行。其封装设计符合工业标准，便于安装和散热器连接。模块还具有较高的短路耐受能力，可在极端条件下提供保护，提升系统的可靠性。
WP7-P016VA1-R8000 主要应用于需要高效功率转换和控制的工业设备中，例如变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电桩等。其高可靠性和优异的热管理能力也使其适用于恶劣环境下的电力电子系统。在电机控制领域，该模块可用于实现高精度的速度和扭矩调节，提升整体系统的效率与稳定性。此外，在智能电网和储能系统中，该模块也可作为核心功率器件使用。
SKP16N120AK、IRAMS16UP60B、STGIPN1HV160T
