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DS1225AD-200IND+ 发布时间 时间:2025/4/25 17:32:24 查看 阅读:2

DS1225是一款双通道、低功耗的CMOS静态RAM芯片,采用先进的半导体制造工艺生产。它具有高可靠性和低功耗的特点,广泛应用于各种需要数据存储和读取的场景中。DS1225的每个通道具有独立的数据输入/输出引脚,可以同时访问两个独立的地址范围,从而提高了数据处理效率。
  DS1225的工作电压范围较宽,并且支持异步操作,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等多种应用领域。

参数

类型:SRAM
  容量:8K x 9 (72 Kbits)
  工作电压:4.5V 至 5.5V
  工作电流:30mA(典型值)
  待机电流:20μA(最大值)
  存取时间:25ns(最大值)
  封装形式:SOIC-20, PDIP-20
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

DS1225的主要特性包括:
  1. 高速存取能力,存取时间短至25ns,能够满足高性能系统的数据处理需求。
  2. 双通道设计,允许同时对两个独立地址空间进行操作,提高了系统的灵活性和效率。
  3. 静电放电保护电路集成在芯片内部,增强了产品的抗干扰能力。
  4. 低功耗设计,在待机模式下仅消耗极小的电流,延长了电池供电设备的使用寿命。
  5. 宽工作电压范围,适应多种电源环境,便于系统集成。
  6. 工业级温度范围,能够在极端环境下稳定运行,确保系统可靠性。

应用

DS1225适合于需要高速数据存储和处理的应用场景,其主要应用领域包括:
  1. 工业自动化控制系统中的临时数据缓冲。
  2. 通信设备中的配置参数保存。
  3. 消费类电子产品中的显示缓存或音频处理。
  4. 医疗设备中的患者数据暂存。
  5. 网络设备中的包处理缓存。
  由于其双通道设计和低功耗特点,DS1225特别适用于多任务并行处理和便携式设备。

替代型号

DS1220Y, CY62128

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DS1225AD-200IND+参数

  • 产品培训模块Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度200ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件