NCE40TD120WT是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件适用于高效率开关应用场合,例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等。其特点在于低导通电阻和快速开关性能,能够显著降低功耗并提高系统效率。
该型号属于沟道增强型MOSFET系列,具有出色的热性能和电气特性,能够在高温环境下稳定运行。同时,它还具备良好的短路耐受能力以及抗静电保护功能,从而提高了整体系统的可靠性。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:40A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:85nC
开关速度:超快
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用中更低的功耗。
2. 快速开关性能减少了开关损耗,提升了电源转换效率。
3. 高温适应性使其适合各种恶劣环境下的工业及汽车应用。
4. 内置保护机制,包括过流保护和短路保护,增强了器件的鲁棒性。
5. 小尺寸封装设计有助于节省PCB空间,便于高密度布局。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
3. 工业自动化设备中的电源管理
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)
5. DC-DC转换器及逆变器
6. 其他需要高效功率开关的应用场景
NCE40TD150WT
NCE50TD120WT