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DS1225AD-150IND 发布时间 时间:2025/5/8 17:51:07 查看 阅读:8

DS1225AD-150IND是一款由Maxim Integrated制造的双通道、低功耗CMOS静态RAM芯片,采用8引脚SOIC封装。该器件具有非易失性数据存储功能,通过使用外部电池备份可以确保断电时的数据完整性。DS1225具备快速访问时间、低功耗特性和广泛的工业温度范围支持,适用于需要高可靠性数据存储的应用场景。

参数

工作电压:2.2V至6V
  静态电流:2μA(典型值)
  存取时间:70ns(最大值)
  存储容量:2K x 8位
  封装类型:8引脚SOIC
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  备用模式功耗:小于1μW

特性

DS1225AD-150IND的主要特性包括:
  1. 非易失性数据存储:通过外接电池备份,在主电源断开后仍能保存数据。
  2. 快速存取时间:70ns的最大存取时间保证了高效的数据读写操作。
  3. 超低功耗设计:在待机或备用模式下,芯片仅消耗极小的电流,适合对功耗敏感的应用。
  4. 宽工作电压范围:支持2.2V到6V的输入电压范围,适应多种电源环境。
  5. 高可靠性:工业级温度范围和静电防护设计使其能够在恶劣环境中稳定运行。
  6. 简单接口:与大多数微控制器兼容,易于集成到各种系统中。

应用

DS1225AD-150IND适用于以下领域:
  1. 数据记录设备:如医疗监测仪、环境传感器等,需要长期保存关键数据。
  2. 工业控制系统:例如PLC模块、数据采集器,要求高可靠性的数据存储。
  3. 计量仪表:智能电表、水表等需要精确保存用电量或用水量信息的设备。
  4. 通信设备:路由器、调制解调器等需要配置文件或日志存储的场合。
  5. 消费电子:数码相机、打印机等需要临时缓存或设置存储的产品。

替代型号

DS1225Y-150+

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DS1225AD-150IND参数

  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度150ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件