DS1225AD-100IND 时间：2025/5/8 14:09:05 阅读：16

DS1225 是一款双通道、低功耗的CMOS静态RAM (SRAM)，具有非易失性数据存储功能。该芯片内置锂电池，能够在主电源断电的情况下保存数据长达10年。DS1225AD-100IND是DS1225系列中的一个特定型号，采用SOIC封装形式，适合工业和商业应用。
　　这款芯片结合了SRAM的速度与非易失性存储的优势，广泛应用于需要实时数据保存且对功耗敏感的应用场景中。

参数

容量：32K x 8位（256字节）
　　工作电压：VCC = 3.0V 至 5.5V
　　待机电流：≤1 μA（典型值）
　　读/写周期时间：70ns
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SOIC-8
　　非易失性保持时间：≥10年（电池供电下）

特性

DS1225AD-100IND的主要特性包括：
　　1. 内置锂电池支持非易失性数据存储，在主电源断开时仍能保留数据。
　　2. 静态RAM结构确保快速访问时间和低功耗操作。
　　3. 提供独立的CE和OE控制引脚，便于灵活的接口设计。
　　4. 工作电压范围宽，兼容多种系统架构。
　　5. 高可靠性设计，适用于工业和高要求环境。
　　6. 芯片具备极低的待机电流，延长电池寿命。

应用

DS1225AD-100IND主要应用于以下领域：
　　1. 工业自动化设备中的配置参数存储。
　　2. 医疗仪器中的临时数据缓冲和关键信息保存。
　　3. POS机和金融终端的数据暂存。
　　4. 嵌入式系统的固件备份和非易失性数据记录。
　　5. 数据采集系统中的高速缓存及断电保护。
　　6. 测量仪表和远程监控设备中的历史数据存储。