DS1225 是一款双通道、低功耗的CMOS静态RAM (SRAM),具有非易失性数据存储功能。该芯片内置锂电池,能够在主电源断电的情况下保存数据长达10年。DS1225AD-100IND是DS1225系列中的一个特定型号,采用SOIC封装形式,适合工业和商业应用。
这款芯片结合了SRAM的速度与非易失性存储的优势,广泛应用于需要实时数据保存且对功耗敏感的应用场景中。
容量:32K x 8位(256字节)
工作电压:VCC = 3.0V 至 5.5V
待机电流:≤1 μA(典型值)
读/写周期时间:70ns
温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOIC-8
非易失性保持时间:≥10年(电池供电下)
DS1225AD-100IND的主要特性包括:
1. 内置锂电池支持非易失性数据存储,在主电源断开时仍能保留数据。
2. 静态RAM结构确保快速访问时间和低功耗操作。
3. 提供独立的CE和OE控制引脚,便于灵活的接口设计。
4. 工作电压范围宽,兼容多种系统架构。
5. 高可靠性设计,适用于工业和高要求环境。
6. 芯片具备极低的待机电流,延长电池寿命。
DS1225AD-100IND主要应用于以下领域:
1. 工业自动化设备中的配置参数存储。
2. 医疗仪器中的临时数据缓冲和关键信息保存。
3. POS机和金融终端的数据暂存。
4. 嵌入式系统的固件备份和非易失性数据记录。
5. 数据采集系统中的高速缓存及断电保护。
6. 测量仪表和远程监控设备中的历史数据存储。
DS1225Y-100, DS1225Z-100