FM200TU-2A是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为高效能、低电压应用而设计,广泛应用于便携式电子设备和高密度电路板中。其主要功能是在电路中实现快速开关和整流作用,由于采用了肖特基势垒技术,具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间,从而有效减少功率损耗并提高系统效率。该型号的‘-2A’后缀通常表示其最大平均整流电流为2A,在同类产品中属于较高电流等级,适用于需要较高电流承载能力的小型化电源管理场景。
该二极管在设计上优化了热性能和电气性能,能够在较小的封装尺寸下维持较高的可靠性。SOD-123FL封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热特性,适合自动化贴片生产流程。FM200TU-2A符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环保和安全性的要求。此外,该器件具有较强的抗浪涌能力和稳定的电气参数,在各种工作条件下均能保持一致的性能表现,是电源适配器、DC-DC转换器、逆变器以及电池管理系统中的理想选择。
类型:肖特基势垒二极管
极性:单路
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大直流阻断电压(VR):20V
最大平均整流电流(IO):2A
峰值正向浪涌电流(IFSM):50A
最大正向电压(VF):450mV @ 1A
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 20V
反向恢复时间(trr):<30ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装/外壳:SOD-123FL
FM200TU-2A的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装设计相结合,使其成为高效率、小体积电源系统的优选元件。首先,该器件采用了先进的肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降(典型值仅为450mV @ 1A),显著降低了导通状态下的功耗,提高了整体电源转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。相比传统的PN结二极管,肖特基二极管没有少子存储效应,因此具备非常快的开关速度,其反向恢复时间(trr)小于30ns,几乎可以忽略不计,极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),特别适用于高频开关电源和高速整流场合。
其次,FM200TU-2A的额定平均整流电流高达2A,这在SOD-123FL这种微型表面贴装封装中属于高性能水平。这种高电流承载能力得益于优化的芯片设计和封装材料,确保在持续负载下仍能保持良好的热稳定性。同时,该器件可承受高达50A的峰值浪涌电流(8.3ms单半正弦波),表现出出色的瞬态过载能力,增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。其最大反向电压为20V,适用于低电压直流电源系统,如5V、12V供电轨的整流与续流保护。
再者,该二极管的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,支持极端环境下的可靠运行,适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。SOD-123FL封装具有较小的占位面积(约2.1mm x 1.3mm)和低热阻特性,便于在高密度PCB布局中使用,并支持回流焊工艺,兼容现代SMT生产线。此外,器件通过AEC-Q101车规级可靠性认证的可能性较高(需查证具体批次),进一步拓展了其在车载电子中的应用前景。所有这些特性共同构成了FM200TU-2A在小型化、高效率电源设计中的核心竞争力。
FM200TU-2A因其低正向压降、高电流能力和快速响应特性,广泛应用于多种电源管理与信号处理电路中。首先,在DC-DC转换器中,它常被用作同步整流的替代方案或作为续流二极管(flyback diode),用于防止电感反电动势损坏开关器件,尤其在降压(Buck)、升压(Boost)及升降压(Buck-Boost)拓扑结构中发挥关键作用。其次,该器件适用于便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源等,用于电池充放电路径中的防反接和能量回馈管理。
此外,FM200TU-2A也常见于AC-DC适配器的次级侧整流电路中,特别是在低输出电压(如5V/2.4A)的应用中,其低VF特性有助于提升整体能效,满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准。在太阳能充电控制器、USB供电模块和LED驱动电源中,该二极管可用于防止电流倒灌,保障系统安全。
在工业与汽车电子领域,FM200TU-2A可用于电机驱动电路中的续流保护、继电器或电磁阀的反激吸收电路,以及车载信息娱乐系统的电源管理单元。其高可靠性和宽温区适应能力使其能在振动、高温等恶劣环境下稳定工作。另外,由于其快速响应特性,也可用于高频信号整流、钳位电路和ESD保护路径中,提供瞬态电压抑制功能。总之,凡是在有限空间内需要高效、快速、可靠的整流或保护功能的场合,FM200TU-2A都是一个极具性价比的选择。
MBR2U20TN-7-F
SB2U060N
SDM2U20L-T1-E3
VS-2UH020-M3