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DS1225AB-150IND 发布时间 时间:2025/5/8 18:46:33 查看 阅读:11

DS1225AB-150IND是一款由Maxim Integrated(现为Analog Devices的一部分)生产的双通道、低功耗CMOS EEPROM芯片,采用I2C兼容的串行接口。该器件具备快速写入特性以及高可靠性,在工业控制、消费电子和通信设备中被广泛应用。
  DS1225系列包含多个型号,主要区别在于存储容量、封装形式及工作温度范围。具体到DS1225AB-150IND,其具有8K位(1K x 8)的存储容量,分为两个独立的512 x 8存储器阵列,支持字节级读写操作,具备非易失性数据存储能力。

参数

存储容量:8K位 (1K x 8)
  组织方式:512 x 8 x 2
  工作电压:1.7V 至 5.5V
  接口类型:I2C兼容串行接口
  工作频率:400kHz
  数据保留时间:超过200年
  擦写周期:1,000,000次
  封装形式:SOIC-8
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

DS1225AB-150IND提供双独立存储阵列,允许同时访问两个存储区域而不相互干扰。
  它具有极低的工作电流和待机电流,非常适合电池供电设备。
  通过I2C接口实现高效的数据传输,最高支持400kHz时钟速率。
  内置写保护机制,防止意外写入或数据损坏。
  非易失性存储确保断电后数据完整保存。
  符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

该芯片广泛应用于需要小容量非易失性存储的场景,例如嵌入式系统中的配置数据存储、传感器校准参数保存、工业控制器的状态记录、消费类电子产品中的用户偏好设置保存等。
  此外,由于其双存储阵列设计,还可以用于数据备份或镜像存储,以提高系统的容错性和可靠性。
  典型应用场景包括打印机墨水监控、医疗设备参数存储、家用电器设置保存以及物联网节点数据缓存。

替代型号

DS1225B-150IND
  DS1225AC-150IND
  AT24C01A
  24LC01B

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DS1225AB-150IND参数

  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度150ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件