时间：2025/9/4 10:30:13
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DS1225是Maxim Integrated（原Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。该芯片结合了SRAM的高速读写性能和EEPROM的非易失性存储能力，能够在主电源断电时通过内置锂电池保持数据不丢失。DS1225具有5V工作电压，容量为8K x 8位，即总共64K位（8KB）的数据存储空间。该芯片广泛用于需要数据在断电后仍能保留的应用场合，如工业控制系统、数据记录设备、智能仪表等。
容量：8KB
电压：5V
封装类型：28引脚DIP
数据保持电流：典型值10uA
读写速度：最大访问时间120ns
工作温度范围：0°C至70°C
存储温度范围：-40°C至+85°C
DS1225的主要特性在于其非易失性和高速存取能力。芯片内部集成了SRAM、EEPROM和锂电池供电电路，确保在主电源断电时，数据能够自动保存到EEPROM中，并由锂电池维持SRAM的数据状态，从而实现无缝切换和数据保护。其高速读写能力使其适用于需要频繁更新数据的场景。此外，DS1225还具备自动电源检测功能，当主电源下降到阈值以下时，会自动启动数据保护机制，防止数据损坏。该芯片的读写寿命远高于传统的EEPROM，支持无限次的读写操作，而不会影响存储单元的寿命。DS1225采用标准的并行接口，兼容多种微控制器和处理器，便于集成到现有系统中。
DS1225常用于需要高可靠性和断电数据保持的工业控制系统、数据采集设备、医疗设备、智能仪表、通信设备以及嵌入式系统中。例如，在工业自动化设备中，它可用于保存关键的运行参数和状态信息；在数据记录仪中，可实现断电后的数据安全存储；在智能电表中，可保存用户设置和历史用电数据等。
DS1225Y, DS1225AD, DS1225AB, DS1225N
