类型：功率MOSFET
　　封装类型：表面贴装（SOP）
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　漏源击穿电压（VDS）：150V
　　导通电阻（RDS(on)）：约20mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约65nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装尺寸：根据具体型号可能有所不同

TML20115C具有低导通电阻的特点，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高击穿电压能力使其适用于高压电源应用，同时能够在高温条件下稳定工作，提高了器件的可靠性与寿命。此外，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于优化开关性能，减少开关损耗，使其适用于高频开关电路。TML20115C还采用了东芝专有的沟槽技术，使器件在保持高电流承载能力的同时实现小型化，适合空间受限的应用场景。器件的封装设计也考虑了热管理需求，能够有效散热，从而确保长时间运行的稳定性。
　　TML20115C的另一个显著特点是其高可靠性。该器件在制造过程中采用了严格的质量控制标准，确保其在各种环境条件下的稳定性和耐用性。无论是在工业控制、汽车电子还是消费类电子产品中，TML20115C都能提供稳定可靠的性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。

TML20115C广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于以下领域：
　　1. DC-DC转换器：用于电信设备、服务器电源和工业控制系统的高效能电源转换模块。
　　2. 电机控制：适用于工业自动化、电动工具和机器人控制中的功率开关元件。
　　3. 电源管理：用于笔记本电脑、台式机及服务器的电源管理系统，提升整体能效。
　　4. 电池充电器：适用于高功率电池充电器的设计，提高充电效率并减少热量产生。
　　5. 汽车电子：在汽车的电源系统、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器中提供高效功率开关解决方案。

TK8A50D,TMPS2155C