时间：2025/5/8 14:03:37
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DS1220Y-120 是 Maxim Integrated（现为 Analog Devices, Inc.）生产的一款双极性、低功耗、8 位 CMOS 静态 RAM（SRAM），带有非易失性存储功能。它结合了 SRAM 的快速存取特性和 EEPROM 的非易失性数据保存能力，适用于需要电池备份或频繁写入的应用场景。
该芯片采用 NMOS 工艺制造，内置一个锂电池用于数据保持，在断电时可以将 SRAM 数据保存到非易失性存储器中。此外，DS1220Y-120 提供了一个备用电源输入引脚（Vbat），以确保在主电源失效时能够继续维持数据完整性。
存储容量：8K x 8 bits (64Kb)
工作电压：3V 至 5.5V
待机电流：小于 2μA（典型值）
数据保存时间：10 年（使用内部锂电池）
封装形式：28 引脚 DIP、SOIC
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：70ns（最大值）
1. 内置锂电池，可实现数据的非易失性存储。
2. 双电源输入（Vcc 和 Vbat），支持主电源和备用电源切换。
3. 高速读写性能，适合实时数据记录应用。
4. 超低功耗设计，非常适合便携式设备。
5. 提供硬件写保护功能，防止意外数据丢失。
6. 支持字节级随机访问，无需分块擦除操作。
7. 具备自动数据保存功能，可在掉电时迅速将 SRAM 数据转移到非易失性存储区域。
DS1220Y-120 常用于以下领域：
1. 数据采集系统：如工业控制器、医疗仪器等需要频繁记录和保存数据的场合。
2. 计量设备：例如电表、水表、燃气表等智能仪表中用作数据缓冲和长期存储。
3. POS 终端和支付设备：用于临时存储交易信息并保证断电后不丢失。
4. 通信设备：如调制解调器、路由器等需要稳定数据存储的环境。
5. 便携式电子设备：包括手持终端、个人数字助理等对低功耗要求较高的产品。
DS1220Y-100, DS1220Y-150
