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DS1220Y-100+ 发布时间 时间:2025/5/8 14:10:54 查看 阅读:13

DS1220Y-100+ 是 Maxim Integrated 生产的一种低功耗、高精度的双通道采样保持放大器 (SHA)。该器件具有出色的直流和交流性能,适用于高速数据采集系统、通信设备以及其他需要高性能信号处理的应用。
  DS1220Y-100+ 的设计使其在保持模式下能够提供极低的泄漏电流和极高的阻抗,确保了信号的完整性,并且其快速的建立时间和低失真特性非常适合于多路复用应用环境。

参数

电源电压:±5V 至 ±15V
  输入阻抗:≥1GΩ
  带宽:4MHz
  采样速率:2μs
  失调电压:±5mV
  封装形式:16引脚DIP或SOIC

特性

DS1220Y-100+ 具备以下关键特性:
  1. 高精度:该器件具有低失调电压和低漂移特性,适合对精度要求较高的应用。
  2. 快速恢复时间:能够在数微秒内完成采样和保持切换,支持高频信号处理。
  3. 双通道独立操作:两个完全独立的采样保持通道可以分别控制,增加了系统的灵活性。
  4. 超低泄漏电流:在保持模式下几乎不会影响输入信号的稳定性。
  5. 宽工作电压范围:支持从 ±5V 到 ±15V 的广泛电源电压范围,适应性强。
  6. 小型封装:采用紧凑型封装设计,节省印刷电路板空间。

应用

DS1220Y-100+ 广泛应用于各种高性能模拟信号处理场景,包括但不限于:
  1. 数据采集系统:如高速 ADC 前端信号调理。
  2. 工业自动化:用于精确控制和测量复杂工业过程中的信号。
  3. 医疗设备:例如心电图仪、超声波扫描仪等需要高精度信号处理的领域。
  4. 通信设备:支持多路复用器前端的信号捕获与处理。
  5. 测试与测量仪器:示波器、频谱分析仪和其他精密测试设备中使用。

替代型号

AD7890, LF398

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DS1220Y-100+参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式NVSRAM
  • 技术NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量16Kb
  • 存储器组织2K x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页100ns
  • 访问时间100 ns
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商器件封装24-EDIP