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HUF75339P3 发布时间 时间:2025/6/20 9:33:26 查看 阅读:3

HUF75339P3是一款高性能的MOSFET功率开关器件,采用TO-263封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统效率并降低功耗。其典型应用场景包括DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动等。HUF75339P3支持宽电压范围,并具备出色的热稳定性和电气性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-263

特性

HUF75339P3的主要特点是其超低的导通电阻(仅1.5mΩ),这使得它在高电流应用中表现优异,同时减少发热和能量损失。
  此外,该器件具有较低的栅极电荷,从而支持高频操作并优化动态性能。
  其坚固的TO-263封装提供了良好的散热性能,适用于紧凑型设计中的高效功率转换。由于其宽泛的工作温度范围(从-55℃到+175℃),该器件非常适合恶劣环境下的工业及汽车应用。
  内置的ESD保护功能增强了器件的可靠性,确保长期稳定运行。

应用

HUF75339P3广泛应用于各种功率电子领域,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动与控制
  5. 汽车电子系统
  6. 工业自动化设备中的功率调节模块
  7. 可再生能源系统的逆变器和整流器
  这款器件凭借其卓越的电气性能和可靠性,在需要高效功率转换和精确控制的应用中表现出色。

替代型号

HUF75339P3L, IRF7739, FDP18N04

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HUF75339P3参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件