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DS1220AD-100IND+ 发布时间 时间:2025/6/4 1:19:31 查看 阅读:4

DS1220AD-100IND+ 是 Maxim Integrated(现为 Analog Devices 旗下)推出的一款低功耗、8位并行 EEPROM 存储器芯片。该器件采用 CMOS 技术制造,具备快速写入能力、高可靠性以及较长的数据保存时间,广泛应用于需要非易失性存储的场景。
  该芯片具有 1024 位(128 字节)的存储容量,支持字节级写入和读取操作,兼容标准的并行总线接口。其设计旨在满足工业、通信以及消费类电子产品的数据存储需求。

参数

存储容量:1024 位 (128 字节)
  工作电压:2.5V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  写入周期:5ms(最大值)
  擦写耐久性:1,000,000 次
  数据保存时间:100 年
  封装类型:SOIC-8

特性

DS1220AD-100IND+ 具有以下主要特性:
  1. 非易失性存储功能,能够在断电后保存数据。
  2. 支持字节级写入和读取操作,使用灵活。
  3. 内置写保护机制,防止意外写入或删除数据。
  4. 低功耗设计,待机电流极低,适合电池供电设备。
  5. 宽工作电压范围,适用于多种应用场景。
  6. 快速写入速度,显著提高系统效率。
  7. 提供长达 100 年的数据保存时间,确保长期可靠运行。
  8. 高可靠性,能够承受高达 1 百万次的擦写循环。

应用

DS1220AD-100IND+ 芯片因其高性能和可靠性,被广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化设备中的参数设置与保存。
  2. 通信设备中的配置信息存储。
  3. 医疗设备中的校准数据保存。
  4. 消费类电子产品中用户偏好设置的存储。
  5. 计量仪表中的历史数据记录。
  6. 嵌入式系统的非易失性存储解决方案。
  此外,它还适用于任何需要小容量、高可靠性和低功耗非易失性存储的应用场景。

替代型号

DS1220Y-100+, CAT24C02

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DS1220AD-100IND+参数

  • 产品培训模块Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 标准包装14
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量16K (2K x 8)
  • 速度100ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装24-EDIP
  • 包装管件