时间：2025/5/26 21:19:30
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FV21N560J102ECG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种电源管理、工业控制以及新能源应用场合。
该型号的功率 MOSFET 在设计上注重高效能表现，适用于高频开关应用环境，例如 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动等场景。
最大漏源电压：560V
连续漏极电流：21A
导通电阻：0.19Ω
栅极电荷：38nC
总电容（输入电容）：1300pF
极间电容（输出电容）：250pF
功耗：41W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FV21N560J102ECG 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：其漏源电压高达 560V，确保在高压环境下能够稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为 0.19Ω，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：得益于较低的栅极电荷（38nC），可以实现高频开关操作。
4. 强大的散热性能：TO-247 封装提供了良好的热传导路径，使得器件能够在高负载条件下长时间工作。
5. 宽工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度区间，适应多种恶劣环境。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的电源转换与控制。
2. 新能源相关产品，如太阳能逆变器和风力发电系统。
3. 不间断电源（UPS）及应急备用电源。
4. 各类电机驱动电路，包括伺服电机和步进电机。
5. 开关模式电源（SMPS）以及 DC-DC 转换器的设计。
FV21N560J102EAG,FV21N560J102ECB
