FV21N560J102ECG 是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理、工业控制以及新能源应用场合。
该型号的功率 MOSFET 在设计上注重高效能表现,适用于高频开关应用环境,例如 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等场景。
最大漏源电压:560V
连续漏极电流:21A
导通电阻:0.19Ω
栅极电荷:38nC
总电容(输入电容):1300pF
极间电容(输出电容):250pF
功耗:41W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FV21N560J102ECG 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:其漏源电压高达 560V,确保在高压环境下能够稳定运行。
2. 低导通电阻:仅为 0.19Ω,有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能:得益于较低的栅极电荷(38nC),可以实现高频开关操作。
4. 强大的散热性能:TO-247 封装提供了良好的热传导路径,使得器件能够在高负载条件下长时间工作。
5. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度区间,适应多种恶劣环境。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 工业设备中的电源转换与控制。
2. 新能源相关产品,如太阳能逆变器和风力发电系统。
3. 不间断电源(UPS)及应急备用电源。
4. 各类电机驱动电路,包括伺服电机和步进电机。
5. 开关模式电源(SMPS)以及 DC-DC 转换器的设计。
FV21N560J102EAG,FV21N560J102ECB