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FV21N560J102ECG 发布时间 时间:2025/5/26 21:19:30 查看 阅读:10

FV21N560J102ECG 是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理、工业控制以及新能源应用场合。
  该型号的功率 MOSFET 在设计上注重高效能表现,适用于高频开关应用环境,例如 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:560V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻:0.19Ω
  栅极电荷:38nC
  总电容(输入电容):1300pF
  极间电容(输出电容):250pF
  功耗:41W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

FV21N560J102ECG 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:其漏源电压高达 560V,确保在高压环境下能够稳定运行。
  2. 低导通电阻:仅为 0.19Ω,有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关性能:得益于较低的栅极电荷(38nC),可以实现高频开关操作。
  4. 强大的散热性能:TO-247 封装提供了良好的热传导路径,使得器件能够在高负载条件下长时间工作。
  5. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度区间,适应多种恶劣环境。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 工业设备中的电源转换与控制。
  2. 新能源相关产品,如太阳能逆变器和风力发电系统。
  3. 不间断电源(UPS)及应急备用电源。
  4. 各类电机驱动电路,包括伺服电机和步进电机。
  5. 开关模式电源(SMPS)以及 DC-DC 转换器的设计。

替代型号

FV21N560J102EAG,FV21N560J102ECB

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