DRV5053EAQDBZRQ1 是德州仪器 (TI) 推出的一款霍尔效应锁存器传感器芯片,能够检测磁场并提供数字输出信号。该器件具有高灵敏度和低功耗特性,适用于各种工业、汽车以及消费类应用中需要精确磁性位置检测的场景。
DRV5053 系列采用先进的BiCMOS制造工艺,确保了其在宽温度范围内的稳定性和可靠性。该芯片内置了稳压器、霍尔元件、放大器、施密特触发器和短路保护电路,使得其成为一个高度集成的解决方案。
工作电压:2.7V至5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
响应时间:少于5μs
电源电流:典型值为2mA
输出类型:集电极开路
磁灵敏度:Bop=15G(最大值), Brp=-15G(最大值)
封装形式:SOT-23
DRV5053EAQDBZRQ1 具备以下主要特性:
1. 高灵敏度设计,适合低强度磁场检测。
2. 宽工作电压范围,适应多种供电环境。
3. 超低功耗模式,延长电池供电设备的使用寿命。
4. 强大的抗应力能力,在恶劣环境下依然保持稳定运行。
5. 小型封装尺寸,便于在空间受限的应用场合使用。
6. 内置短路保护功能,提高系统的可靠性和安全性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 汽车行业中的速度和方向传感,如ABS系统、变速器控制等。
2. 工业自动化设备的位置检测与开关状态监控。
3. 消费电子产品中的非接触式开关及旋转编码器。
4. 家用电器的速度监测与电机控制。
5. 医疗器械中的精密角度测量与流量监控。
DRV5053TAQDBZRQ1
DRV5053PAQDBZRQ1