DRV5053CAQDBZR和DRV5053CAQDBZT是德州仪器(TI)生产的霍尔效应锁存器,能够感应磁场并提供数字输出信号。这些器件具有小型化、低功耗和高灵敏度的特点,适合各种工业和消费类应用。它们可以在存在交替南极和北极的情况下提供可靠的开关输出,并且内置了短路保护和过温保护功能。
该系列器件采用不同的封装形式,其中DRV5053CAQDBZR为卷带式封装,DRV5053CAQDBZT为散装式封装。
供电电压:2.7V 至 18V
工作温度范围:-40°C 至 150°C
磁灵敏度:-45 G(BOP),45 G(BRP)
响应时间:最大 10 μs
输出类型:集电极开路
电源电流:最大 9 mA
DRV5053CAQDBZR/DRV5053CAQDBZT采用了先进的BiCMOS工艺制造,确保其在极端环境下的可靠性。
主要特性包括:
1. 宽电压范围操作,适应多种电源系统。
2. 高灵敏度设计,可以检测到微弱的磁场变化。
3. 快速响应时间,适用于高速运动检测场景。
4. 内置诊断功能和保护机制,提高了系统的稳定性和安全性。
5. 符合AEC-Q100标准,适用于汽车级应用。
6. 小型SOT-23封装,便于布局和节省空间。
这些特点使得DRV5053系列成为位置传感、速度测量以及旋转编码等应用的理想选择。
DRV5053CAQDBZR/DRV5053CAQDBZT广泛应用于需要非接触式检测的场合,例如:
1. 汽车行业中的踏板位置传感器、变速杆位置检测和ABS系统中的轮速传感器。
2. 工业自动化领域里的阀门位置监测和电机换向控制。
3. 消费电子产品的接近感应和用户界面按钮替代。
4. 医疗设备中的流量计和泵监控。
由于其出色的性能和可靠性,该芯片几乎可以在任何需要精确磁场检测的地方发挥作用。
DRV5053LAQDBZR, DRV5053MAQDBZR