DRV5013AGOLPGM 是一款由德州仪器 (TI) 生产的霍尔效应传感器芯片,具有锁存器输出功能。该器件适用于需要精确检测磁场变化的应用场景,例如电机换向、速度和方向感应等。它采用先进的BiCMOS工艺制造,确保了高灵敏度、低功耗以及宽温度范围内的稳定性。
DRV5013AGOLPGM 提供单极磁性开关功能,在存在足够强度的南极磁场时触发输出状态改变,并在磁场移除后恢复初始状态。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,便于 PCB 布局设计。
供电电压:2.7V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
输出类型:开漏输出
灵敏度:Bop = 45G(最大值)
释放点:Brp = -45G(最大值)
典型响应时间:1μs
静态电流:650μA(最大值)
DRV5013AGOLPGM 的主要特点是其高精度和可靠的操作性能。该器件内置有短路保护和反向电压保护电路,增强了系统的安全性。
此外,它还具备以下特点:
- 高温稳定性,适合汽车和工业应用环境。
- 超低功耗设计,延长电池供电设备的工作时间。
- 快速响应时间,能够捕捉快速变化的磁场信号。
- 简化的设计流程,减少了对外部元件的需求。
这款霍尔效应传感器广泛应用于各类需要非接触式检测的场合。具体应用包括:
- 直流无刷电机 (BLDC) 的换向控制。
- 汽车电子中的速度和位置传感。
- 工业自动化设备的速度与方向监控。
- 消费电子产品中的开关和接近检测。
- 家电产品中的风扇控制和流量测量。
DRV5013AQLPGM, DRV5013DGSR, DRV5013DGNR