G5335QT1U是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合于高频开关应用。
这款MOSFET的封装形式为TO-263(DPAK),具备良好的散热性能,适用于高功率密度的设计场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:14A
导通电阻:8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:17nC(典型值)
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+150℃
G5335QT1U具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高整体效率。
2. 快速的开关速度,使得其非常适合高频应用场合,同时减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小巧的封装尺寸与高效的散热性能相结合,使其适用于紧凑型设计。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
G5335QT1U主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关角色。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的高低边开关。
5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
6. 工业控制设备中的功率转换部分。
IRF540N
STP14NM60
FDP18N60C