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G5335QT1U 发布时间 时间:2025/5/26 19:25:47 查看 阅读:14

G5335QT1U是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合于高频开关应用。
  这款MOSFET的封装形式为TO-263(DPAK),具备良好的散热性能,适用于高功率密度的设计场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:17nC(典型值)
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

G5335QT1U具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,使得其非常适合高频应用场合,同时减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小巧的封装尺寸与高效的散热性能相结合,使其适用于紧凑型设计。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

G5335QT1U主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关角色。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
  4. 电机驱动电路中的高低边开关。
  5. 各种消费类电子产品的电源管理模块。
  6. 工业控制设备中的功率转换部分。

替代型号

IRF540N
  STP14NM60
  FDP18N60C

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