器件类型：肖特基势垒二极管
　　配置：单个
　　最大平均整流电流：1.1A
　　最大反向重复峰值电压（VRRM）：150V
　　最大正向压降（VF）@ IF=1.1A：典型值约0.95V
　　最大反向漏电流（IR）@ VR=150V, 25°C：≤500μA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　工作结温范围：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装/外壳：MBB（Mini-Flat Package）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻结至环境（RθJA）：约150°C/W
　　结电容（CJ）：典型值约40pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值＜5ns
　　符合标准：RoHS compliant, Halogen-Free

DRGR110MB150的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力，这使得它在高频开关电源系统中表现出色。其正向压降在额定电流下仅为约0.95V，显著低于传统硅PN结二极管，从而大幅降低导通期间的能量损耗，提高电源转换效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。得益于肖特基结构的金属-半导体接触机制，该器件几乎没有少数载流子储存效应，因此反向恢复时间极短，通常小于5纳秒，避免了普通二极管在关断过程中产生的尖峰电流和电磁干扰问题，提升了系统的EMI性能和稳定性。
　　该器件采用MBB封装，外形扁平且体积小，典型尺寸约为2.0mm x 1.6mm x 0.9mm，非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他追求轻薄化设计的产品中。封装底部设有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔实现有效的热量传导，增强热管理能力，使器件能在较高负载条件下持续稳定工作。此外，其机械强度良好，抗振动和冲击能力强，适合多种应用场景下的长期运行。
　　DRGR110MB150具备宽泛的工作温度范围，可在-65°C至+125°C的结温范围内正常工作，适应从寒冷户外环境到高温密闭机箱内的各种工况。同时，其反向漏电流在高温下虽有所增加，但仍处于可控范围之内，在125°C时仍能保持可靠性能。器件还具备一定的浪涌电流承受能力，峰值可达30A，能够在瞬态过载或启动冲击下提供一定保护作用，增强了系统鲁棒性。总体而言，该器件结合了高效性、小型化、高可靠性和易集成等特点，是现代电源设计中理想的整流解决方案之一。

DRGR110MB150被广泛应用于各类需要高效整流功能的电子系统中。常见用途包括作为开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在反激式、正激式和LLC谐振变换器中，利用其低VF和快恢复特性来提升转换效率并减少发热。在DC-DC转换模块中，如降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构中，该器件常用于续流路径或同步整流辅助通道，帮助实现更平稳的电流切换和更低的能耗。
　　在消费类电子产品领域，该二极管可用于手机充电器、USB PD适配器、无线充电板、智能家居控制模块等内部电源电路中，提供高效的电压整流与极性保护功能。其小型封装特别适合空间受限的设计需求。在工业控制系统中，它可用于PLC电源单元、传感器供电模块、电机驱动电路中的箝位与保护环节，防止感性负载断开时产生高压反电动势损坏主控芯片。
　　此外，该器件也可用于汽车电子中的非驱动类低压电源系统，例如车载信息娱乐系统、仪表盘电源管理、车身控制模块等，满足AEC-Q101以外的通用车规级应用要求。在通信设备中，如路由器、交换机、基站电源模块中，DRGR110MB150可用于隔离电源次级侧整流，保障信号链路供电纯净。总之，凡是需要高效、快速、小型化整流元件的应用场合，DRGR110MB150都是一个极具竞争力的选择。

SB10150, SR110M150, MBR110, B1100A