型号：DRGH875MB820
　　制造商：Vishay Siliconix
　　产品类型：MOSFET
　　拓扑结构：N沟道
　　漏源电压（VDS）：80 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：120 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：480 A
　　功耗（PD）：60 W
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 10 V：3.9 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 4.5 V：5.1 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：11000 pF
　　输出电容（Coss）：3900 pF
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

DRGH875MB820采用Vishay先进的TrenchFET?技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其RDS(on)在VGS=10V时仅为3.9mΩ，在同类产品中处于领先水平，这显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体效率。由于其低Qg（栅极电荷）和低Crss（反向传输电容），该器件表现出卓越的开关特性，特别适用于高频开关应用如同步整流、负载点（POL）转换器和电池供电设备中的功率管理模块。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性与散热能力，得益于PowerPAK SO-8封装的底部裸露焊盘设计，可有效将热量传导至PCB，从而提高功率处理能力。器件的工作结温可达+175°C，确保在高温环境中仍能可靠运行。同时，它支持逻辑电平驱动（VGS=4.5V即可完全导通），便于与现代数字控制器接口连接，无需额外的电平转换电路。
　　在可靠性方面，DRGH875MB820通过了严格的AEC-Q101认证，适用于汽车级应用环境。其内部结构优化减少了寄生参数，抑制了米勒效应，增强了抗噪声干扰能力。此外，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在瞬态过压情况下的鲁棒性。内置体二极管具有较快的反向恢复特性（trr=28ns），有助于减少交叉导通风险，尤其在H桥和半桥拓扑中表现优异。综合来看，这款MOSFET是高性能、高密度电源设计的理想选择。

DRGH875MB820广泛用于各类高电流、高效率电源系统中。常见应用场景包括服务器和通信设备中的DC-DC降压变换器、笔记本电脑和移动工作站的电源管理模块、电动工具与无人机的电池管理系统、工业电机驱动器以及汽车电子系统如车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用作主开关或同步整流开关元件。此外，该器件也适用于大功率LED驱动、太阳能逆变器前端开关以及高端游戏主机电源设计中，以实现更高的能效比和更小的散热需求。由于其小型化封装和优良热性能，特别适合空间受限但要求高功率输出的设计场合。

SiR144DP, IRF3207PbF, CSD17570Q5B