型号：DRGH855MB820
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：双极性晶体管阵列
　　晶体管数量：4个NPN晶体管
　　集电极-发射极击穿电压 (VCEO)：80 V
　　集电极电流 (IC)：500 mA
　　直流电流增益 (hFE)：300 @ IC = 10 mA
　　过渡频率 (fT)：200 MHz
　　功耗 (Ptot)：625 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOIC-14
　　引脚数：14
　　极性：NPN

DRGH855MB820的核心特性之一是其高度集成的多晶体管结构，内部集成了四个独立的NPN型双极性晶体管，每个晶体管均经过精确匹配和一致性校准，使其在需要对称性和一致响应的应用中表现卓越。这种集成化设计不仅减少了外部元件的数量，还显著提升了电路板的空间利用率和整体可靠性。所有晶体管共享相同的电气规格，包括高达80V的集电极-发射极击穿电压和最大500mA的连续集电极电流，使得该器件既能用于小信号放大，也可胜任中等功率开关任务。
　　另一个关键特性是其高频性能。该器件的典型过渡频率(fT)达到200MHz，表明其在高频信号处理方面具有出色的能力，适合应用于射频前端、高速开关电路及脉冲信号调理等场合。同时，其直流电流增益(hFE)在典型工作条件下可高达300，保证了即使在低驱动电流下也能实现高效的信号放大与传输。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以在降低功耗的同时维持良好的增益性能。
　　热稳定性也是DRGH855MB820的一大优势。器件采用SOIC-14封装，具备良好的散热性能，并可在-55°C至+150°C的极端温度范围内正常工作，满足军工级和工业级应用的需求。封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。此外，该器件具有较低的寄生电容和电感，有助于减少高频下的信号失真和串扰，进一步提升系统信号完整性。

DRGH855MB820广泛应用于各类需要高集成度和高可靠性的电子系统中。在工业自动化领域，常被用作传感器信号调理电路中的差分放大器或驱动继电器、LED指示灯和小型电磁阀的开关元件。由于其多个晶体管的一致性良好，非常适合构建推挽输出级或达林顿对结构，从而提高驱动能力和响应速度。
　　在通信设备中，该器件可用于中频放大、逻辑电平转换以及接口驱动电路。其200MHz的过渡频率使其能够处理较高速率的数据信号，适用于调制解调器、光模块前端和局域网物理层设备等场景。此外，在消费类电子产品如智能家电、音频设备和便携式仪器中，DRGH855MB820也常作为音频前置放大器或多路信号切换控制器的核心组件。
　　汽车电子系统同样是其重要应用方向之一。凭借宽温工作能力和高抗干扰性，该器件可用于车身控制模块、车灯驱动电路和车载信息娱乐系统的信号处理单元。在电源管理系统中，它还可作为线性稳压器的误差放大器或反馈控制回路的一部分，以提升电压调节精度和动态响应能力。总之，DRGH855MB820凭借其多功能性、稳定性和紧凑封装，已成为众多复杂电路设计中的理想选择。

MMST8550 T14
　　MPSA8550
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