时间：2025/12/26 0:50:03
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DRGH855KB122是一款由Vishay Siliconix生产的高性能、高可靠性数字隔离器。该器件属于Vishay的DG系列，专为在恶劣工业环境和高噪声系统中实现安全、可靠的信号隔离而设计。DRGH855KB122采用先进的电容隔离技术，能够在不同电路之间提供高达5000 VRMS的隔离电压，适用于需要加强绝缘保护的应用场景。该芯片支持双向数据传输，具备多通道配置能力，通常用于替代传统的光耦合器，在性能、寿命和稳定性方面均有显著提升。其封装形式为小型化SOIC-16宽体（Wide Body）封装，有助于提高PCB布局的灵活性并增强爬电距离与电气间隙，符合国际安全标准如UL 1577、IEC 60747-5-5及EN 61010等。
该器件工作温度范围宽，支持–40°C至+125°C的工业级温度范围，适合在极端环境下长期稳定运行。供电电压兼容3.3V和5V系统，逻辑侧和隔离侧可独立供电，增强了系统设计的灵活性。此外，DRGH855KB122集成了故障安全输出功能，在输入信号丢失或电源异常时能自动将输出置为预定义状态，提高了系统的安全性与可靠性。
型号：DRGH855KB122
制造商：Vishay Siliconix
隔离电压：5000 VRMS（1分钟，按UL 1577）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
供电电压（VDD1/VDD2）：2.7V 至 5.5V
数据速率：最高支持150 Mbps
传播延迟：典型值15 ns
共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs
通道数：4通道（可配置方向）
封装类型：SOIC-16 Wide Body
认证标准：UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5、IEC 61010-1
DRGH855KB122采用基于硅基薄膜电容的先进电容隔离技术，通过在芯片内部构建高介电强度的二氧化硅（SiO2）绝缘层来实现信号跨隔离栅的高速传输。这种结构相比传统光耦中的LED和光电晶体管组合具有更长的使用寿命和更高的稳定性，避免了LED老化导致的性能衰减问题。该技术还支持更高的数据速率和更低的功耗，使得DRGH855KB122能够满足现代工业通信对实时性和能效的要求。电容隔离架构对电磁干扰（EMI）具有较强的抑制能力，并能在快速变化的共模电压下保持信号完整性，其共模瞬态抗扰度（CMTI）高达±150 kV/μs，确保在电机驱动、逆变器等高噪声环境中可靠工作。
该器件具备出色的热稳定性和长期可靠性，即使在高温高湿环境下也能维持稳定的隔离性能。其宽体SOIC-16封装提供了足够的爬电距离和电气间隙，满足加强绝缘的安全要求，适用于医疗设备、工业自动化和可再生能源系统等关键应用。每个通道均可独立配置为输入或输出方向，支持灵活的系统接口设计。集成的故障检测机制包括开路输入监测、欠压锁定（UVLO）保护以及热关断功能，当发生异常情况时可自动进入安全状态，防止误动作影响下游电路。此外，该芯片支持低静态电流操作，典型值低于1 mA每通道，有利于降低整体系统功耗，特别适合电池供电或绿色节能型设计。所有输入端口均具备施密特触发器设计，增强了抗噪能力和信号整形能力，可在存在抖动或缓慢上升沿的输入信号下仍保持稳定输出。
DRGH855KB122广泛应用于需要高可靠性电气隔离的各种工业与电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块和现场总线通信接口中，实现控制单元与传感器或执行器之间的信号隔离，有效防止地环路干扰和高压窜入损坏敏感电路。在电机驱动和变频器系统中，该器件可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM信号，保障主功率电路与低压控制电路之间的安全隔离，同时支持高频开关操作以提升能效。在太阳能逆变器和储能系统中，DRGH855KB122可用于直流侧与交流侧之间的通信隔离，满足光伏系统对长期耐久性和高绝缘等级的需求。此外，该芯片也适用于电动汽车充电桩、医用电气设备（如病人监护仪和诊断设备）、智能电网终端设备以及隔离式ADC/DAC接口电路。由于其支持高速数据传输和宽温工作范围，还可用于工业以太网、CAN、RS-485等通信协议的隔离层设计，提升网络节点的抗干扰能力和系统整体安全性。
SI8640BB-B-IS1
